LTC2450-1
应用信息
这降低ADC的性能灵敏度元素
PCB布局和外部元件。然而，很
是保存最完好的仔细该转换器的精度高
低频和高频电源去耦。
一个0.1μF高品质的陶瓷电容并联使用
,
10μF的陶瓷电容应连接之间的
V
CC
以及GND ，尽可能接近到包。
0.1μF的电容应放在最靠近到ADC
封装。人们还希望通过在电路以避免任何
从转换器V启动路径
CC
针，穿过
这两个去耦电容，并返回到
转换器的GND引脚。通过此电路包围的区域
路径，以及该路径的长度，应尽量减少。
非常低阻抗接地层和电源层和明星
在两个V连接
CC
以及GND是优选的。该
V
CC
脚应该有两个不同的连接：在第一个连接到
去耦如上所述，第二个电容器
电源电压。 GND引脚应该有三个
不同的连接：将网络连接到第一个去耦电容
如上所述，第二至接地回为
输入信号源和所述第三至接地回为
电源电压源。
驾驶V
IN
在V
IN
输入驱动要求可以得到最好的分析
使用图15中的输入信号的等效电路
V
SIG
连接到ADC输入插脚V
IN
通过
等效源电阻R
S
。该电阻器包括
无论是实际发生的源电阻与
附加的可选电阻器，连接至V
IN
引脚。一
可选的输入电容C
IN
也连接到ADC
V
IN
引脚。此电容被放置在平行与ADC
输入寄生电容C
PAR
。根据不同的PCB后，
布局
PAR
拥有的2pF和15pF的在这两者之间的典型值
.
此外，图15的等效电路包括
变频器内部等效电阻R
SW
和采样
电容C
EQ
.
也有一些直接的权衡在研发
S
和C
IN
没有
需要一个完整的电路分析。加大研发
S
和C
IN
可以
得到以下好处科幻TS ：
1 ）由于LTC2450-1的输入采样算法，该
用V绘制输入电流
IN
在转换周期
为50nA 。一个高R
S
C
IN
衰减高频
输入电流的部件，并且R
S
最高值
1kΩ的结果<1LSB错误。
2 ）从V带宽
SIG
减少在V
IN
。这个频带 -
宽度减少隔离高频ADC的
信号，并因此提供了简单的抗混叠和
输入噪声降低。
3 ）由ADC产生的噪声之前，它会被削弱
备份到信号源。
4）大型C
IN
给出了一个更好的交流地在V
IN
，帮助
减少重新佛罗里达州ections回信号源。
5 ）加大研发
S
通过限制电流防止了ADC
在外侧最导轨故障状态。
S
可以
轻松大小如防止甚至极端
故障情况。
有一个限度如何很大的R
S
C
IN
应是对于给定的
应用程序。加大研发
S
超出一个给定的点的增加
R两端的电压降
S
由于输入电流，来
存在显着的测量误差点。 AD-
ditionally ，对于一些应用，增加第r
S
C
IN
产物过多可能不可接受地衰减信号
在感兴趣的频率。
V
CC
R
S
V
IN
V
SIG
V
CC
C
IN
C
PAR
I
泄漏
R
SW
15k
I
泄漏
（典型值）
C
EQ
0.35pF
（典型值）
I
CONV
24501 F15
+
–
图15. LTC2450-1输入驱动等效电路
24501fb
15
