IGBT结构
一个绝缘栅双极晶体管（IGBT ）中的硅的横截面，所述
终端被称为收藏家是，其实， PNP的发射极。尽管其
相似的功率MOSFET的横截面，二者的操作
晶体管有本质的不同，在IGBT是少数载流子器件。
除了P +衬底实际上等同于该功率MOSFET ，
这两个设备共享一个类似的多晶硅栅结构和P阱与N +
源接触。在两个设备中的P阱下的N型材料的尺寸
在厚度和reistivity来维持该设备的完整的额定电压。
然而，尽管有许多相似之处，在IGBT的他的物理操作
相比于功率MOSFET接近双极晶体管的这一点。这是
由于P +衬底，负责的少数载流子注入
为N regtion所得电导调制，一个显著的份额
导通发生亏损的N区，通常为70 ％，在500V电压的设备。
以编码形式的部件号本身就包含了IGBT的主要特点。一
包含在术语的解释如下。
IR
G
4
B
C
4
0
S
D
二极管
国际整流器器
IGBT
GENERATION
封装标识
B T0220
P T0247
电压指示器
600V 800V ê
F 900V摹1000V
1200V
速度代号
S小标准
修改
F快
模具尺寸
M短Cicuit快
ü超快
短路超快
IGBT的基本结构
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
第35 7
