高温GATE BIAS （ HTGB ）
测试电路
条件
DUT
偏见：
温度：
持续时间：
测试点：
VGE =根据需要
TMAX
2000小时名义
168, 500, 1000,
1500年， 2000小时名义。
D
DC
BIAS
D
=二极管只CoPack设备
用途
高温栅偏压的目的是强调与设备
施加偏压至栅极，而在升高的结温，加速时间
该栅极结构的依赖介电击穿。
失效模式
主要的失效模式为长期栅极应力是栅极氧化物的断裂，
使任一个电阻短之间的栅极 - 发射极或栅极 - 集电极或什么
似乎是在栅极和源极之间的低击穿二极管。
的氧化物击穿已被归因于降解在现有的时间
在热生长氧化物的缺陷。这些缺陷可以采取局部形式
厚度变化，结构异常或亚微米的存在
微粒，该氧化物内。
正如HTRB ，需要特别小心的长期测试的过程中行使
避免潜在的危险，如静电放电或电气过应力来
试验期间的栅极。从这种滥用而产生的故障是几乎没有区别
从真正的氧化层击穿而造成的实际压力测试。
敏感的参数
I
CES ，
V
GE （日）
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
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