1W40S11-23
W40S11-23
时钟缓冲器/驱动器
特点
十三歪斜控制的CMOS时钟输出
（ SDRAM0 ： 12 ）
支持三种SDRAM DIMM的
适用于高性能系统设计围绕
英特尔最新芯片组
SMBus串行接口配置
任意两个输出端之间的时钟歪斜小于250 ps的
15 ns传播延迟
DC至133 MHz的操作
单3.3V电源电压
低功耗CMOS设计，封装在一个28引脚， 300mil的
SOIC （小外形集成电路） ， 28引脚， 173密耳
（薄小外形封装）和28引脚，
209密耳SSOP （缩小小外形封装）
关键的特定连接的阳离子
电源电压： ........................................... V
DD
= 3.3V±5%
工作温度： .................................... 0 ° C至+ 70°C
输入阈值： ............................................... ...典型值为1.5V
最大输入电压： ....................................... V
DD
+ 0.5V
输入频率： ............................................... 0至133兆赫
BUF_IN到SDRAM0 ： 12传播延迟： ...... 1.0 5.0纳秒
输出边沿速率： ..............................................
＆ GT ; 1.5 V / ns的
输出时钟偏差： .............................................. .... ± 250 ps的
输出占空比： ................................. 55分之45 ％，最坏的情况
输出阻抗： ............................................... 15Ω典型
输出类型： ............................................... 。 CMOS轨到轨
概观
赛普拉斯W40S11-23是一个低电压， 13路输出
时钟缓冲器。输出缓冲器阻抗约为15Ω ，
它非常适用于驱动SDRAM DIMM内存模块。
框图
引脚配置
SDATA
SCLOCK
串行端口
设备控制
SDRAM0
SDRAM1
SDRAM2
SDRAM3
SDRAM4
SDRAM5
SDRAM6
SDRAM7
SDRAM8
SOIC
VDD
SDRAM0
SDRAM1
GND
VDD
SDRAM2
SDRAM3
GND
BUF_IN
SDRAM4
SDRAM5
SDRAM12
VDD
SDATA
[1]
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VDD
SDRAM11
SDRAM10
GND
VDD
SDRAM9
SDRAM8
GND
VDD
SDRAM7
SDRAM6
GND
GND
[1]
SCLOCK
BUF_IN
SDRAM9
SDRAM10
SDRAM11
SDRAM12
注意：
对250K的SDATA和SCLOCK输入1.内部上拉电阻
（未CMOS电平） 。
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
2001年4月6日
