V
GG
C9
C8
B2
+
C7
R4
B1
R3
C17
C16
C15
+
V
DD
C14
L4
C6
R2
Z6
RF
输入
N1
C1
C2
R1
Z1
L1
Z2
Z3
C4
C5
Z4
Z5
DUT
C12
C10
C3
C11
N2
Z7
Z8
L2
L3
Z9
RF
产量
Z10 C13
B1, B2
C1, C13
C2, C4, C11
C3
C5
C6, C17
C7, C14
C8, C15
C9, C16
C10
C12
L1
L2
L3
短铁氧体磁珠，公平礼产品
(2743021446)
330 pF的， 100万片式电容器
0至20 pF的微调电容器
12 pF的， 100万片电容
43 pF的， 100万片电容
75 pF的， 100万片式电容器
10
μF,
50 V电解电容器
1200 PF， 100万片式电容器
0.1
μF,
100万片式电容器
75 pF的， 100万片电容
13 pF的， 100万片电容
26 NH， 4转， Coilcraft公司
5 NH 2转， Coilcraft公司
33 NH， 5转， Coilcraft公司
L4
N1, N2
R1
R2
R3
R4
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5, Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
板
55.5 NH， 5转， Coilcraft公司
N型法兰底座
15
W
贴片电阻（ 0805 ）
56
W,
1/4 W碳质电阻
100
W
贴片电阻（ 0805 ）
33千瓦， 1/8 W碳质电阻
0.115 “× 0.080 ”微带
0.255 “× 0.080 ”微带
1.037 “× 0.080 ”微带
0.192 “× 0.080 ”微带
0.260 “× 0.223 ”微带
0.125 “× 0.080 ”微带
0.962 “× 0.080 ”微带
0.305 “× 0.080 ”微带
0.155 “× 0.080 ”微带
特氟龙玻璃
， 31密耳， 2盎司铜
图28. 135 - 175 MHz的宽带测试电路
典型特性， 135 - 175兆赫
12
噘嘴，输出功率（瓦）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
10
8
155兆赫
6
175兆赫
4
135兆赫
2
V
DD
= 12.5伏
0
0
0.1
0.2
0.3
P
in
，输入功率（瓦）
0.4
20
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
P
OUT
，输出功率（瓦）
10
11 12
0
V
DD
= 12.5伏
5
155兆赫
10
135兆赫
175兆赫
15
图29.输出功率与输入功率
图30.输入回波损耗
与输出功率
MRF1518NT1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
9
