飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF1518N
牧师9 ， 9/2006
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET
设计用于frequen-宽带商业和工业应用
资本投资者入境计划，以520兆赫。该装置的高增益和宽带性能
使其非常适用于大信号，在12.5伏的共源放大器的应用
移动调频设备。
指定的性能@ 520兆赫， 12.5伏特
输出功率 - 8瓦
功率增益 - 11分贝
D
效率 - 55 ％
能够处理20 ： 1 VSWR ， @ 15.5伏，
520兆赫， 2分贝高速
特点
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大 - 信号
阻抗参数
G
宽带UHF / VHF示范放大器
信息面议
后缀表示铅 - 免费终结。符合RoHS 。
S
可在磁带和卷轴。 T1每12毫米后缀= 1000单位，
7英寸卷轴。
MRF1518NT1
520兆赫， 8 W， 12.5 V
横向N - CHANNEL
宽带
RF功率MOSFET
CASE 466 - 03 ，风格1
PLD - 1.5
塑料
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
漏电流 - 连续
器件总功耗@ T
C
= 25°C
(1)
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
I
D
P
D
T
英镑
T
J
价值
- 0.5, +40
±
20
4
62.5
0.50
- 65 + 150
150
单位
VDC
VDC
ADC
W
W / ℃，
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
(2)
2
单位
° C / W
表3.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
1.计算值根据公式P
D
=
TJ - TC
等级
1
封装峰值温度
260
单位
°C
R
θJC
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器访问
平均无故障时间计算器副产品。
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF1518NT1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
