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STAR1000
图像传感器规格
一般特定网络阳离子
该STAR1000传感器表1.一般规格
参数
检测技术
像素结构
光电二极管
敏感区的格式
像素尺寸
像素输出率
窗口
电子快门
总剂量辐射
公差
规范
CMOS有源像素传感器
3晶体管有源像素
高填充因子光电二极管
1024 x 1024像素
15 x15
m
2
12兆赫
X轴和Y寻址随机可编程
电子滚动快门。
范围： 1 ：1024
> 250拉德（SI ）
积分时间是时间变量的步骤等于
行读出时间。
像素的测试结构具有类似的设计有
示总剂量耐受高达几毫拉德。
注：暗电流和DSNU依赖的
辐射剂量。
速度可以为功耗进行交换。
耐辐射像素设计。
采用N阱技术。
评论
质子放射耐受
SEU宽容
光电产品规格
2,4.10
11
质子/厘米
2
在60兆电子伏
> 127,8兆电子伏厘米
3
mg
-1
该STAR1000传感器表2.光电技术规格
价值
参数
典型的价值
光谱范围
量子效率X补充
因素
全井产能
饱和能力
满足中非线性
+ 5%
输出信号摆幅
转换增益
kTC噪声
动态范围
固定模式噪声
400 - 1000
20%
135.000
99.000
e-
e-
单位
nm
平均在可视范围。见谱
响应曲线。
评论
1.1
11.4
47
69
本地： 1
σ
< 0.30 ％
全球： 1σ <0.56 ％
满井
本地： 1
σ
< 0.67 ％
全球：
σ
<3.93%
满井
V
μV / E-
e-
dB
照片回应
的非均匀性在周六/ 2
（ RMS）
文件编号： 38-05714牧师* B
第21 2
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