【STAR1000100万像素辐射硬CMOS图像传感器特点该STAR1000传感器具有以下特征：■■■】,IC型号CYIS1SM1000AA-HHC,CYIS1SM1000AA-HHC PDF资料,CYIS1SM1000AA-HHC经销商,ic,电子元器件-51电子网

STAR1000

100万像素辐射硬CMOS

图像传感器

特点

该STAR1000传感器具有以下特征：

■

操作模式，例如（多个）窗口，子采样，

等等。

该CYIS1SM1000AA - HHC具有BK7G18玻璃盖，并且

空腔中充有N

这增加了温度操作

范围内。该CYIS1SM1000AA - HHCS类似于

CYIS1SM1000AA ， HHC ;它有一个BK7G18玻璃盖和上N

填充

腔，但也筛选和测试，空间限定的设备

标准。

积分-3-晶体管有源像素传感器

1024 ×1024像素的15毫米间距

耐辐射设计

片上双采样电路，取消固定模式噪声

电子快门

读取速度：高达每秒11帧的全

感兴趣区域（ ROI ）的窗口

片上10位ADC

可编程增益放大器

陶瓷JLCC -84封装

可用BK7G18玻璃和用N 2填充的空腔

传感器描述

该STAR1000是由1024的CMOS图像传感器1024

像素上的15毫米间距。它具有片上固定模式噪声

（ FPN ）校正，可编程增益放大器，和一个10位

模拟 - 数字转换器（ADC ）。

所有电路所使用的辐射耐受性的设计规则设计

用于CMOS图像传感器，以允许对总的高耐受性

剂量效应。

是由外部控制器直接访问寄存器

包含X和像素Y轴地址被读取。这

架构提供了灵活的操作，并允许不同

订购信息

市场型号

CYIS1SM1000AA-HHC

CYIS1SM1000AA-HHCS

描述

单声道与BK7G18玻璃

单声道与BK7G18玻璃，航天合格

包

84引脚JLCC

赛普拉斯半导体公司

文件编号： 38-05714牧师* F

198冠军苑

圣荷西

CA 95134-1709

408-943-2600

修订后的2011年1月25日

[+ ]反馈

STAR1000

功能................................................. .............................. 1

传感器说明................................................ ............. 1

订购信息................................................ .......... 1

目录................................................. ............................. 2

传感器规格................................................ ........ 3

一般规格................................................ 3 ..

电光规格........................................ 3

光谱响应................................................ 5 ........

光伏响应............................................... 5

绝对最大额定值........................................... 6

建筑................................................. ....................... 8

平面图................................................ ...................... 8

像素阵列................................................ ..................... 8

寻址逻辑................................................ ........... 9

列放大器................................................ ......... 9

输出放大器和模拟多路复用器....................... 9

ADC ................................................. .............................. 9

时序和控制信号.............................................. 9

行选择和复位时序.................................. 9

像素读出时序.............................................. .. 11

引脚列表................................................ ................................ 13

包装和几何约束........................ 17

封装图................................................ ......... 17

模具对准................................................ ............... 19

玻璃盖................................................ ..................... 19

操作注意事项................................................ ........ 20

有限保修................................................ ............... 20

退货授权（ RMA ） ........................... 20

订购代码定义............................................... ... 20

符合RoHS （无铅）合规性......................................... 20

在无铅焊接................................ 20信息

与缩略语................................................. .......................... 21

词汇表................................................. ............................ 22

STAR1000评价体系.......................................... 23

文档历史记录页............................................... ..... 24

销售，解决方案和法律信息......................... 24

全球销售和设计支持.......................... 24

文件编号： 38-05714牧师* F

分页： 24 2

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STAR1000

传感器技术规格

一般特定网络阳离子

STAR1000传感器表1.一般规格

参数

检测技术

像素结构

光电二极管

敏感区的格式

像素尺寸

像素输出率

窗口

电子快门

总剂量辐射

公差

规范

CMOS有源像素传感器

3晶体管有源像素

高填充因子光电二极管

1024 x 1024像素

15 x15

μm

12兆赫

X轴和Y寻址随机可编程

电子滚动快门。

范围 - 1 ： 1024

> 250拉德（SI ）

积分时间是时间变量的步骤等于

行读出时间。

像素的测试结构具有类似的设计有

示总剂量耐受高达几毫拉德。

注意：

暗电流和DSNU依赖的

辐射剂量。

速度可以被改变为功率消耗。

耐辐射像素设计。

采用N阱技术。

质子放射耐受2,4.10

质子/厘米

在60兆电子伏

SEU宽容

> 127,8兆电子伏厘米

-1

光电产品规格

STAR1000传感器表2.光电技术规格

价值

参数

典型的价值

光谱范围

量子效率X补充

因素

全井产能

饱和能力

满足中非线性

+ 5%

输出信号摆幅

转换增益

kTC噪声

动态范围

固定模式噪声

400-1000

20%

135.000

99.000

单位

平均在可视范围。见谱

响应曲线。

1.1

11.4

本地： 1σ < 0.30 ％

全球： 1σ <0.56 ％

满井

本地： 1σ < 0.67 ％

全球：

<3.93%

满井

μV / E-

照片回应

非均匀性，在星期六/

2 （ RMS ）

文件编号： 38-05714牧师* F

第24 3

[+ ]反馈

STAR1000

STAR1000传感器表2.光电技术规格

（续）

价值

参数

典型的价值

平均暗电流

293K

暗电流信号

DSNU信号

光学串扰

在600nm处

抗晕能力

输出放大器增益器

模拟输入

带宽

模拟输入信号

范围

模拟 - 数字

变流器

ADC差分

非线性（ DNL ）

ADC积分

非线性（ INL ）

电源电压

功耗

223

3135

甚小孔径终端的1.055 ％

垂直： 16 ％

水平： 17.5 ％

x 1000

X1 ， x2.47 ， x4.59 x8.64和

9.5

0.1 4.9

< = ± 3.5

< = ± 5.8

<350

<100

兆赫

位

最低位

积分非线性ADC的比线性度好

图像传感器。

数字输入信号3.3V兼容。

内部ADC供电。

如果没有内部ADC供电。

这两个值测量额定转速（ 12兆赫）。

上Ibis4 ADC的耐辐射的版本和

其它图像传感器。

控制的2位。

单位

ρA /厘米

E- /秒

暗电流上升425 E- / s的拉德。

DSNU上升14 E- / s的拉德。

文件编号： 38-05714牧师* F

第24 4

[+ ]反馈

STAR1000

光谱响应

图1的光谱响应曲线

0.16

QE 0.3

0.14

QE 0.2

0.12

光谱响应[A / W]

0.1

0.08

QE 0.1

0.06

0.04

QE 0.05

0.02

QE 0.01

400

500

600

700

800

900

1000

Wavelenght [nm]的

光伏响应

图2的光伏响应曲线

1,2

0,8

0,6

0,4

0,2

20000

40000

60000

80000

100000 120000 140000 160000 180000

电子的数目

文件编号： 38-05714牧师* F

电压摆幅输出[ V]

第24个5

[+ ]反馈

STAR1000

STAR1000 100万像素辐射硬

CMOS图像传感器

主要特点

该STAR1000传感器具有以下特征：

集成3个晶体管有源像素传感器。

1024 ×1024像素的15

间距。

耐辐射设计。

片上双采样电路，取消固定的模式

噪声。

电子快门。

读出速率：最高可达每秒11帧满。

感兴趣区域（ROI ）的窗口地区。

片上10位ADC 。

可编程增益放大器。

陶瓷JLCC - 84封装。

提供BK7G18玻璃用N

充满模腔。

传感器描述

该STAR1000是由1024的CMOS图像传感器1024

像素上的15毫米间距。它具有片上固定的模式

噪声（ FPN ）校正，可编程增益放大器，和一个

10位模拟 - 数字转换器（ADC ）。

所有的电路都使用了耐辐射设计的设计

用于CMOS图像传感器的规则，以允许具有高耐受

对总剂量效应。

是由外部控制器直接访问寄存器

包含X和像素Y轴地址被读取。这

架构提供了灵活的操作，并允许不同

操作模式，例如（多个）窗口，子采样，

等等

两个版本自动报价传感器可供选择： STAR1000和

STAR1000BK7 。该STAR1000具有石英玻璃盖和

模头和盖之间腔内充满空气。该

STAR1000BK7具有BK7G18玻璃盖和腔体填充

有N

这增加了工作温度范围。

赛普拉斯半导体公司

文件编号： 38-05714牧师* B

198冠军苑

圣荷西

CA 95134-1709

408-943-2600

修订后的2007年1月5日

[+ ]反馈

STAR1000

图像传感器规格

一般特定网络阳离子

该STAR1000传感器表1.一般规格

参数

检测技术

像素结构

光电二极管

敏感区的格式

像素尺寸

像素输出率

窗口

电子快门

总剂量辐射

公差

规范

CMOS有源像素传感器

3晶体管有源像素

高填充因子光电二极管

1024 x 1024像素

15 x15

12兆赫

X轴和Y寻址随机可编程

电子滚动快门。

范围： 1 ：1024

> 250拉德（SI ）

积分时间是时间变量的步骤等于

行读出时间。

像素的测试结构具有类似的设计有

示总剂量耐受高达几毫拉德。

注：暗电流和DSNU依赖的

辐射剂量。

速度可以为功耗进行交换。

耐辐射像素设计。

采用N阱技术。

质子放射耐受

SEU宽容

光电产品规格

2,4.10

质子/厘米

在60兆电子伏

> 127,8兆电子伏厘米

-1

该STAR1000传感器表2.光电技术规格

价值

参数

典型的价值

光谱范围

量子效率X补充

因素

全井产能

饱和能力

满足中非线性

+ 5%

输出信号摆幅

转换增益

kTC噪声

动态范围

固定模式噪声

400 - 1000

20%

135.000

99.000

单位

平均在可视范围。见谱

响应曲线。

1.1

11.4

本地： 1

< 0.30 ％

全球： 1σ <0.56 ％

满井

本地： 1

< 0.67 ％

全球：

<3.93%

满井

μV / E-

照片回应

的非均匀性在周六/ 2

（ RMS）

文件编号： 38-05714牧师* B

第21 2

[+ ]反馈

STAR1000

该STAR1000传感器表2.光电技术规格

（续）

价值

参数

典型的价值

平均暗电流

293K

暗电流信号

DSNU信号

光学串扰

在600nm处

抗晕能力

输出放大器增益器

模拟输入

带宽

模拟输入信号

范围

模拟 - 数字

变流器

ADC差分

非线性（ DNL ）

ADC积分

非线性（ INL ）

电源电压

功耗

223

3135

甚小孔径终端的1.055 ％

垂直： 16 ％

水平： 17.5 ％

x 1000

X1 ， x2.47 ， x4.59 x8.64和

9.5

0.1 4.9

< = ± 3.5

< = ± 5.8

＆ LT ; 350

＆ LT ; 100

兆赫

位

最低位

积分非线性ADC的比线性度好

图像传感器。

数字输入信号3.3V兼容。

内部ADC供电。

如果没有内部ADC供电。

这两个值测量额定转速（ 12兆赫）。

上Ibis4 ADC的耐辐射的版本和

其它图像传感器。

控制的2位。

单位

ρA /厘米

E- /秒

暗电流上升425 E- / s的拉德。

DSNU上升14 E- / s的拉德。

文件编号： 38-05714牧师* B

第21 3

[+ ]反馈

STAR1000

光谱响应

图1的光谱响应曲线

0.16

QE 0.3

0.14

QE 0.2

0.12

光谱响应[A / W]

0.1

0.08

QE 0.1

0.06

0.04

QE 0.05

0.02

QE 0.01

400

500

600

700

800

900

1000

Wavelenght [nm]的

光电池响应

图2的光伏响应曲线

1,2

0,8

0,6

0,4

0,2

20000

40000

60000

80000

100000 120000 140000 160000 180000

电子的数目

文件编号： 38-05714牧师* B

电压摆幅输出[ V]

第21 4

[+ ]反馈

STAR1000

绝对最大额定值

表3.绝对最大额定值STAR1000

范围

特征

民

任何电源电压

对任何输入端电压

工作温度

储存温度

传感器的焊接温度

-0.5

-10

最大

VDD + 0.5

+60

125

°C

温度范围内确定

评估测试。

不超过1小时以上。温度范围

通过评价试验证实。

手工焊接而已。该传感器的temper-

ATURE可能不会超越这个极限。请

读出的焊接和处理部分，用于

更多的信息。

单位

备注

表4.绝对最大额定值STAR1000BK7

范围

特征

民

任何电源电压

对任何输入端电压

工作温度

储存温度

-0.5

-40

传感器焊接temper-

ATURE

最大

VDD + 0.5

+85

+120

125

°C

温度范围内确定

评估测试。

温度范围内确定

评估测试。

最大1小时。

手工焊接而已。该传感器的temper-

ATURE可能不会超越这个极限。请

读出的焊接和处理部分，用于

更多的信息。

单位

备注

文件编号： 38-05714牧师* B

第21 5

[+ ]反馈