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CYK128K16MCCB
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................ -55°C至+ 125°C
电源电压对地电位................. -0.4V至4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[6, 7, 8]
........................................ -0.4V至3.7V
直流输入电压
[6, 7, 8]
.................................... -0.4V至3.7V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
设备
范围
环境
温度
-25 ° C至+ 85°C
V
CC
2.70V至
3.30V
CYK128K16MCCB工业
电气特性
（在整个工作范围内）
CYK128K16MCCB -55 CYK128K16MCCB -70
参数
V
CC
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
电源电压
输出高电压I
OH
= -0.1毫安
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流接地< V
IN
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
= V
CCmax
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
I
OL
- 0.1毫安
V
CC
= 2.7V至3.3V
V
CC
= 2.70V
V
CC
= 2.70V
0.8 *
V
CC
–0.4
–1
–1
14
1
40
测试条件
MIN 。 TYP 。
[5]
马克斯。
2.7
V
CC
–
0.4
0.4
V
CC
+ 0.4V
0.4
+1
+1
22
5
250
0.8 *
V
CC
–0.4
–1
–1
8
1
40
3.0
3.3
MIN 。 TYP 。
[5]
2.7
V
CC
–
0.4
0.4
V
CC
+ 0.4V
0.4
+1
+1
15
5
250
3.0
MAX 。 UNIT
3.3
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
A
V
CC
经营供应F = F
最大
= 1/t
RC
当前
F = 1 MHz的
I
SB1
自动CE
CE > V
CC
0.2V
V
CC
= 3.3V
掉电电流V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V, V
IN
＆ LT ;
0.2V ）， F = F
最大
（地址
-CMOS输入
和仅数据）中，f = 0
（ OE ， WE ， BHE和BLE ）
V
CC
= 3.30V
自动CE
CE > V
CC
– 0.2V
V
CC
= 3.3V
掉电电流V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ;
0.2V ， F = 0 ，V
CC
= 3.30V
-CMOS输入
I
SB2
9
40
9
40
A
电容
[9]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
热阻
[9]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
测试条件遵循的标准试验方法和
用于测量热阻抗，每环评手续
/ JESD51 。
BGA
55
17
单位
° C / W
° C / W
注意事项：
6. V
IL （ MIN ）
= -0.5V为脉冲持续时间小于20纳秒。
7. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.5V对脉冲持续时间小于20纳秒。
8.过冲和下冲规格的特点，不是100 ％测试。
9.初步测试后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05584牧师* C
第3 9
