CYK128K16MCCB
2兆位（ 128K ×16 ）伪静态RAM
特点
宽电压范围： 2.70V - 3.30V
存取时间： 55纳秒， 70纳秒
超低有功功率
- 典型工作电流：为1mA F = 1兆赫
- 典型工作电流： 14毫安@频率= F
最大
（ 55纳秒）
- 典型工作电流： 8毫安@频率= F
最大
（ 70纳秒）
超低待机功耗
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
提供的48球BGA封装
可置于待机模式时，取消（ CE高或
无论BHE和BLE的高） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被置于高阻抗状态时的
芯片被取消（ CE高电平）时，或当输出被
禁用（ OE高） ，或者当两个高字节使能和字节
低启用已禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写在
操作（ CE LOW和WE低）。
写设备通过发出芯片完成
使能（ CE LOW）和写使能（ WE）输入低电平。如果字节
低使能（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
17
） 。如果高字节使能（ BHE ）是
LOW ，然后从I / O引脚上的数据（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入
插入地址引脚指定的位置（A
0
通过
A
16
).
从设备中读取被断言芯片完成
使能（ CE LOW）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）是
低电平，然后从存储器位置被指定的数据
地址引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能
（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据将出现在I / O
8
to
I / O
15
。参见真值表的读出一个完整的描述
写模式。
实用
描述
[1]
该CYK128K16MCCB是一个高性能的CMOS伪
通过16位支持组织为128K字的静态RAM
异步存储器接口。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
128K × 16
RAM阵列
检测放大器
I / O0 - I / O7
I / O8 I / O15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
掉电
电路
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
BHE
BLE
CE
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05584牧师* C
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2005年1月27日
CYK128K16MCCB
引脚配置
[2, 3, 4]
48球VFBGA
顶视图
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
NC
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
3
A
0
A
3
A
5
NC
DNU
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
NC
I / O
0
I / O
2
VCC
VSS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
A
8
产品组合
功耗
我的操作
CC
（MA ）
V
CC
范围（V ）
产品
CYK128K16MCCB
分钟。
2.70
典型值。
[5]
3.0
马克斯。
3.30
速度
（纳秒）
55
70
F = 1MHz的
典型值。
[5]
1
马克斯。
5
f = f
最大
典型值。
[5]
14
8
马克斯。
22
15
待我
SB2
(A)
典型值。
[5]
9
马克斯。
40
注意事项：
2.球D3， H1， G2和球H6为FBGA封装可用于升级到4兆位， 8兆位， 16兆位，32兆位密度。
3. NC“无连接” - 而不是在内部连接到芯片。
4. DNU （不使用）引脚必须悬空或连接到VSS ，以确保适当的应用程序。
5.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05584牧师* C
第2 9
CYK128K16MCCB
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................ -55°C至+ 125°C
电源电压对地电位................. -0.4V至4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[6, 7, 8]
........................................ -0.4V至3.7V
直流输入电压
[6, 7, 8]
.................................... -0.4V至3.7V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
设备
范围
环境
温度
-25 ° C至+ 85°C
V
CC
2.70V至
3.30V
CYK128K16MCCB工业
电气特性
（在整个工作范围内）
CYK128K16MCCB -55 CYK128K16MCCB -70
参数
V
CC
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
电源电压
输出高电压I
OH
= -0.1毫安
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流接地< V
IN
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
= V
CCmax
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
I
OL
- 0.1毫安
V
CC
= 2.7V至3.3V
V
CC
= 2.70V
V
CC
= 2.70V
0.8 *
V
CC
–0.4
–1
–1
14
1
40
测试条件
MIN 。 TYP 。
[5]
马克斯。
2.7
V
CC
–
0.4
0.4
V
CC
+ 0.4V
0.4
+1
+1
22
5
250
0.8 *
V
CC
–0.4
–1
–1
8
1
40
3.0
3.3
MIN 。 TYP 。
[5]
2.7
V
CC
–
0.4
0.4
V
CC
+ 0.4V
0.4
+1
+1
15
5
250
3.0
MAX 。 UNIT
3.3
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
A
V
CC
经营供应F = F
最大
= 1/t
RC
当前
F = 1 MHz的
I
SB1
自动CE
CE > V
CC
0.2V
V
CC
= 3.3V
掉电电流V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V, V
IN
＆ LT ;
0.2V ）， F = F
最大
（地址
-CMOS输入
和仅数据）中，f = 0
（ OE ， WE ， BHE和BLE ）
V
CC
= 3.30V
自动CE
CE > V
CC
– 0.2V
V
CC
= 3.3V
掉电电流V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ;
0.2V ， F = 0 ，V
CC
= 3.30V
-CMOS输入
I
SB2
9
40
9
40
A
电容
[9]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
热阻
[9]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
测试条件遵循的标准试验方法和
用于测量热阻抗，每环评手续
/ JESD51 。
BGA
55
17
单位
° C / W
° C / W
注意事项：
6. V
IL （ MIN ）
= -0.5V为脉冲持续时间小于20纳秒。
7. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.5V对脉冲持续时间小于20纳秒。
8.过冲和下冲规格的特点，不是100 ％测试。
9.初步测试后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05584牧师* C
第3 9
CYK128K16MCCB
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
R2
V
CC
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
上升时间= 1 V / ns的
相当于：
戴维南等效
R
TH
产量
V
TH
单位
V
3.0V V
CC
22000
22000
11000
1.50
开关特性
在整个工作范围
[10]
55纳秒
[14]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
t
SK[14]
写周期
[12]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
55
45
45
0
0
40
70
60
60
0
0
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[11, 13]
OE高到高Z
[11, 13]
CE低到低Z
[11, 13]
CE高到高阻
[11, 13]
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[11, 13]
BLE / BHE高来高
地址偏移
Z
[11, 13]
5
10
0
2
25
55
5
25
10
5
25
5
25
70
5
55
25
5
25
55
[14]
55
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
70纳秒
马克斯。
单位
注意事项：
10.测试条件比三态参数之外的所有参数假设1纳秒/ V信号的转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/ 2，输入脉冲电平
为0V到V
CC （典型值）。
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图所示，在“交流测试负载和波形”一节。
11. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
12.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何
这些信号可以终止执行的写操作变为无效。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止信号的边缘
写
13.高阻抗和低阻抗参数为特征，并未经过100 ％测试。
14.为了实现55纳秒的性能，读取权限应CE控制。在这种情况下吨
ACE
是临界参数和叔
SK
是满足的时候，地址是
稳定之前，片选去激活。为70纳秒的周期中，地址必须在读取周期开始后在10纳秒的稳定。
文件编号： 38-05584牧师* C
第4页第9
CYK128K16MCCB
开关特性
在工作范围（续）
[10]
55纳秒
[14]
参数
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
描述
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[11, 13]
我们前高后低-Z
[11, 13]
5
分钟。
50
25
0
25
5
马克斯。
分钟。
60
45
0
25
70纳秒
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
开关波形
读周期1 （地址转换控制）
[15, 16, 17]
t
RC
地址
t
SK
t
OHA
t
AA
数据有效
数据输出
以前的数据有效
读周期2 （ OE控制）
[16, 17]
地址
t
SK
t
RC
t
HZCE
t
ACE
CE
BHE
/
BLE
t
LZBE
OE
t
DBE
t
HZBE
数据输出
VCC
供应
当前
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
t
美国能源部
数据有效
t
HZOE
高
阻抗
I
CC
I
SB
50%
50%
注意事项：
15.设备不断选择。 OE ，CE = V
IL
.
16.我们是高的读周期。
17.在55纳秒的周期，一旦读取启动时，设备上的地址必须不切换。为70 ns的周期，地址必须在经过10 ns的稳定
读周期的开始。
文件编号： 38-05584牧师* C
第5 9
QQ：2881677436 复制
