TPCP8H02
MOS FET
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
th
½Yfs½
测试条件
V
GS
= ±10
V, V
DS
=
0
I
D
=
0.1毫安，V
GS
=
0
V
DS
=
20 V, V
GS
=
0
V
DS
=
3V ，我
D
=
0.1mA
V
DS
=
3V ，我
D
=
10mA
I
D
=
10毫安，V
GS
=
4V
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
I
D
=
10毫安，V
GS
=
2.5V
I
D
=
1mA时， V
GS
=
1.5V
输入电容
反向传输电容
输出电容
开启时间
开关时间
打开-O FF时间
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
t
关闭
参见图2电路原理图。
V
DD
≒
3V ，R
L
=
300
Ω
V
GS
=
0至2.5V
V
DS
=
3V, V
GS
=
0 ， F = 1MHz的
民
20
0.6
40
典型值。
1.5
2.2
5.2
9.3
4.5
9.8
70
125
最大
±1
1
1.1
3
4
15
ns
pF
Ω
单位
μA
V
μA
V
mS
图2开关时间测试电路&时序图
VOUT
VIN
Rg
RL
2.5V
0
10us
选通脉冲宽度为10μs ， TR ， tf<5ns
（ ZOUT = 50Ω ） ，普通的来源，TA = 25℃
值班Cycle<1 ％
VDD
注意事项
V
th
可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我
D
=100
μA
为
此产品。对于正常的开关操作，V
GS （上）
需要较高的电压比V
th
和V
GS （关闭）
需要
电压比V低
钍。
（该关系，可以建立如下：V
GS （关闭）
＆ LT ; V
th
＆ LT ; V
GS （上）
)
使用该设备时，请考虑到这一点。在V
GS
推荐的电压用于导通该
产品是2.5 V或更高。
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2006-11-13
