TPCP8H02
东芝多芯片晶体管
硅NPN外延型，场效应晶体管硅N沟道MOS型
TPCP8H02
2.4±0.1
0.475
1
4
多芯片
分立器件;内置NPN晶体管用于主开关和
N沟道MOS FET驱动器
高
直流电流增益：H
FE
= 250400 （我
C
= 0.3 A） （ NPN晶体管）
ULOW
集电极 - 发射极饱和电压： V
CE （SAT）
= 0.14 V（最大值）
（ NPN晶体管）
- 高速
开关：吨
f
= 25 ns（典型值） （ NPN晶体管）
0.65
2.9±0.1
B
A
0.05
M
B
0.8±0.05
S
0.025
S
0.17±0.02
0.28
+0.1
-0.11
+0.13
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
晶体管
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
（ NPN ）
DC
（注1 ）
符号
V
CBO
V
CEX
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
（注2 ）
T
j
等级
50
50
30
6
3.0
5.0
0.3
1.0
150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
1.源
2.收集
3.收集
4.收集
1.12
-0.12
1.12
+0.13
-0.12
0.28
+0.1
-0.11
5.基
6.发射器
7.门
8.排水
JEDEC
JEITA
东芝
-
-
2-3V1E
脉冲（注1 ）
电路CON组fi guration
8
7
6
5
MOS FET
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
通道温度
DC
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
T
ch
等级
20
±10
100
200
150
单位
V
V
1
mA
°C
2
3
4
注1 ：确保结（通道）温度不超过150 ℃ 。
注2 ：设备安装在玻璃环氧基板（FR- 4,25.4 × 25.4 × 1.6毫米，铜面积： 645毫米
2
)
注3 ：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。
1
2006-11-13
2.8±0.1
频闪闪光灯应用
高速开关应用
DC- DC转换器应用
0.33±0.05
0.05
M
A
8
5
TPCP8H02
MOS FET
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
th
½Yfs½
测试条件
V
GS
= ±10
V, V
DS
=
0
I
D
=
0.1毫安，V
GS
=
0
V
DS
=
20 V, V
GS
=
0
V
DS
=
3V ，我
D
=
0.1mA
V
DS
=
3V ，我
D
=
10mA
I
D
=
10毫安，V
GS
=
4V
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
I
D
=
10毫安，V
GS
=
2.5V
I
D
=
1mA时， V
GS
=
1.5V
输入电容
反向传输电容
输出电容
开启时间
开关时间
打开-O FF时间
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
t
关闭
参见图2电路原理图。
V
DD
≒
3V ，R
L
=
300
Ω
V
GS
=
0至2.5V
V
DS
=
3V, V
GS
=
0 ， F = 1MHz的
民
20
0.6
40
典型值。
1.5
2.2
5.2
9.3
4.5
9.8
70
125
最大
±1
1
1.1
3
4
15
ns
pF
Ω
单位
μA
V
μA
V
mS
图2开关时间测试电路&时序图
VOUT
VIN
Rg
RL
2.5V
0
10us
选通脉冲宽度为10μs ， TR ， tf<5ns
（ ZOUT = 50Ω ） ，普通的来源，TA = 25℃
值班Cycle<1 ％
VDD
注意事项
V
th
可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我
D
=100
μA
为
此产品。对于正常的开关操作，V
GS （上）
需要较高的电压比V
th
和V
GS （关闭）
需要
电压比V低
钍。
（该关系，可以建立如下：V
GS （关闭）
＆ LT ; V
th
＆ LT ; V
GS （上）
)
使用该设备时，请考虑到这一点。在V
GS
推荐的电压用于导通该
产品是2.5 V或更高。
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2006-11-13
TPCP8H02
r
日（J -C ）
– t
w
1000
瞬态热阻
r
日（J -C ）
（ ° C / W）
100
10
1
0.001
曲线应该在热面积有限施加。
单一不重复脉冲的Ta
=
25°C
2
安装在FR4电路板（环氧玻璃，厚1.6毫米，铜面积： 645毫米）
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
10
IC MAX （脉冲）
*
10毫秒* 1毫秒* 100
μs*
IC MAX（连续）
10
μs*
I
C
(A)
100毫秒*
1
10 s*
直流操作
（大
=
25°C)
*:
单一不重复的脉冲
Ta
=
25°C
注意，该曲线为100毫秒，
10秒和直流操作将是
0.1不同的，当设备不在
安装在FR4电路板（玻璃
环氧树脂，1.6毫米厚，铜面积：
2
645 mm ).
单设备操作
这些特性曲线必须
与增加呈线性降额
在温度。
0.01
0.1
1
集电极电流
10
最大VCEO
100
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
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2006-11-13
QQ：2880707522 复制
