光电流
800
CW驱动
TC = 25°C
远场模式
1.0
CW驱动
TC = 25°C
PO = 500毫瓦
SPECTRUM
1.0
CW驱动
TC = 25°C
PO = 500毫瓦
0.8
0.8
θ⊥
600
宝[毫瓦]
0.6
400
0.4
200
0.2
θ//
0.6
0.4
0.2
0
0
300
600
如果[马]
900
1200
0.0
–40
–20
0
20
40
0.0
650
660
670
680
690
角[ °的
波长[nm]的
s
图1 SLD1332V代表特征
s
表1 SLD1332V主要特点
P侧电极
项
阈值电流
工作电流
工作电压
符号典型值
第i个
IOP
VOP
λp
θ
//
θ
⊥
ηD
400
900
2.4
670
8
度。
24
1.0
毫瓦/ MA
单位
mA
V
nm
激光束
发光点
活性层
振荡波长
辐射
角
平行
连接点
垂直
要结
GaAs衬底
效率差
100
m
N侧
电极
条件： TC = 25°C
宝= 500毫瓦@ CW
s
图2 SLD1332V芯片结构
⊥
//
–3
–2
–1
0
1
2
3
单位：
m
–80 –60 –40 –20
0
20
40
60
80
单位：
m
s
图3 SLD1332V近场模式
