添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第285页 > SLD1332V
光电流
800
CW驱动
TC = 25°C
远场模式
1.0
CW驱动
TC = 25°C
PO = 500毫瓦
SPECTRUM
1.0
CW驱动
TC = 25°C
PO = 500毫瓦
0.8
0.8
θ⊥
600
宝[毫瓦]
0.6
400
0.4
200
0.2
θ//
0.6
0.4
0.2
0
0
300
600
如果[马]
900
1200
0.0
–40
–20
0
20
40
0.0
650
660
670
680
690
角[ °的
波长[nm]的
s
图1 SLD1332V代表特征
s
表1 SLD1332V主要特点
P侧电极
阈值电流
工作电流
工作电压
符号典型值
第i个
IOP
VOP
λp
θ
//
θ
ηD
400
900
2.4
670
8
度。
24
1.0
毫瓦/ MA
单位
mA
V
nm
激光束
发光点
活性层
振荡波长
辐射
平行
连接点
垂直
要结
GaAs衬底
效率差
100
m
N侧
电极
条件: TC = 25°C
宝= 500毫瓦@ CW
s
图2 SLD1332V芯片结构
//
–3
–2
–1
0
1
2
3
单位:
m
–80 –60 –40 –20
0
20
40
60
80
单位:
m
s
图3 SLD1332V近场模式
WWW.ALLDATASHEET.COM
版权所有每个制造公司。
所有的数据表不能擅自修改。
该数据表已经从下载:
WWW.ALLDATASHEET.COM
100 %免费的搜索datasheet的网站。
免费下载。
没有注册。
快速检索系统。
WWW.ALLDATASHEET.COM
SLD1332V
670mW 500mW的激光二极管/暂定
描述
该SLD1332V是一个高功率可见光激光二极管。
该激光二极管具有高亮度500mW的可以由量子阱结构来实现。
特点
高输出功率
“推荐
光功率输出:流行= 500mW的
量子阱结构
9毫米罐型封装
应用
Measurement
结构
AlGaInP中的量子阱结构的激光二极管
绝对最大额定值( TC = 25 ℃ )
光功率输出
Pomax
反向电压
VR LD
PD
工作温度(Tc )范围Topr
存储温度
TSTG
0.55
2
15
-10至+30
-40至+85
W
V
V
工作寿命
平均无故障时间10,000小时(有效值)宝= 0.5W , TC = 25 ℃
此保修期应为收到的产品或1,000小时的运行时间为准后90天
短。
索尼公司质量保证部应分析失败在上述保修期内的任何产品,如果
产品应免费更换。
激光二极管自然有不同的生命周期而遵循Weibull分布。
特别担保也可提供。
接线图
常见
CON组fi guration
3
PD
2
LD
1
2
1
3
1. LD
阴极
2. PD阳极
3.常见
底部视图
1
SLD1332V
电气和光学特性
阈值电流
工作电流
工作电压
波长
辐射
垂直
并行
位置
阵地
准确性
符号
第i个
IOP
VOP
λp
θ⊥
θ//
ΔX,ΔY
Δφ⊥
Δφ//
效率差
(TC :外壳温度, TC = 25 ℃ )
条件
分钟。
-
Po
0.5W
Po
0.5W
Po
0.5W
Po
0.5W
-
-
660
15
4
-
Po
0.5W
Po
0.5W
Po
0.5W
-
-
-
-
典型值。
0.4
0.8
2.4
670
23
8
-
-
-
1.0
0.7
马克斯。
0.7
1.2
3.2
680
30
15
±50
±3
±3
-
-
单位
A
A
V
nm
μm
W
A
mA
η
D
IMON
电流监视器
2
SLD1332V
的M- 248 (LO -11)
参考插槽
1.0
0.4
3
2
1
光电二极管
0
φ
9.0 - 0.015
φ
7.7最大
φ
6.9最大
0.6最大
3 -
φ
0.45
PCD
φ
2.54
SONY CODE
EIAJ代码
JEDEC代码
M-248
包装重量
车窗玻璃
φ
3.5
基准面
LD芯片
*光学
距离= 2.55
±
0.05
3
7.0最大
1.2g
1.5 3.4 MAX
* 2.45
光电流
800
CW驱动
TC = 25°C
远场模式
1.0
CW驱动
TC = 25°C
PO = 500毫瓦
SPECTRUM
1.0
CW驱动
TC = 25°C
PO = 500毫瓦
0.8
0.8
θ⊥
600
宝[毫瓦]
0.6
400
0.4
200
0.2
θ//
0.6
0.4
0.2
0
0
300
600
如果[马]
900
1200
0.0
–40
–20
0
20
40
0.0
650
660
670
680
690
角[ °的
波长[nm]的
s
图1 SLD1332V代表特征
s
表1 SLD1332V主要特点
P侧电极
阈值电流
工作电流
工作电压
符号典型值
第i个
IOP
VOP
λp
θ
//
θ
ηD
400
900
2.4
670
8
度。
24
1.0
毫瓦/ MA
单位
mA
V
nm
激光束
发光点
活性层
振荡波长
辐射
平行
连接点
垂直
要结
GaAs衬底
效率差
100
m
N侧
电极
条件: TC = 25°C
宝= 500毫瓦@ CW
s
图2 SLD1332V芯片结构
//
–3
–2
–1
0
1
2
3
单位:
m
–80 –60 –40 –20
0
20
40
60
80
单位:
m
s
图3 SLD1332V近场模式
WWW.ALLDATASHEET.COM
版权所有每个制造公司。
所有的数据表不能擅自修改。
该数据表已经从下载:
WWW.ALLDATASHEET.COM
100 %免费的搜索datasheet的网站。
免费下载。
没有注册。
快速检索系统。
WWW.ALLDATASHEET.COM
查看更多SLD1332VPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SLD1332V
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

查询更多SLD1332V供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!