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16兆位LPC串行闪存
SST49LF016C
数据表
DC特性
表20 ：在33 MHz和66 MHz的直流工作特性（所有接口）
范围
符号
I
DD1
参数
积极V
DD
当前
读
单/双字节编程，擦除
四字节编程
I
SB
待机V
DD
当前
（ LPC接口）
18
40
60
100
mA
mA
mA
A
LCLK
（ LPC模式）
=V
ILT
/V
IHT
at
LFRAME#=.9V
DD
V
DD
=V
DD
最大
所有其它输入
≥
0.9 V
DD
or
≤
0.1 V
DD
LCLK
（ LPC模式）
=V
ILT
/V
IHT
LFRAME ＃ = V
IL
, V
DD
=V
DD
最大
所有其它输入
≥
0.9 V
DD
or
≤
0.1 V
DD
V
IN
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
IN
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
OUT
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
民
最大
单位测试条件
LCLK
（ LPC模式）
=V
ILT
/V
IHT
所有其它输入= V
IL
或V
IH
所有输出=开放，V
DD
=V
DD
最大
I
RY2
就绪模式V
DD
当前
10
mA
I
I
I
LI
I
LO
I
H
V
H
V
IHI3
V
ILI3
V
IL
输入漏电流ID为[3： 0]引脚
输入漏电流
输出漏电流
超高压电流为WP ＃ / AAI
超高压对WP ＃ / AAI
INIT ＃输入高电压
INIT ＃输入低电压
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
0.9 V
DD
8.5
1.1
-0.5
-0.5
0.5 V
DD
200
1
1
200
9.5
V
DD
+0.5
0.4
0.3 V
DD
V
DD
+0.5
0.1 V
DD
A
A
A
A
V
V
V
V
V
V
V
V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
民
V
DD
=V
DD
民
V
DD
=V
DD
最大
I
OL
= 1500 μA ，V
DD
=V
DD
民
I
OH
= -500 μA ，V
DD
=V
DD
民
T20.1 1237
V
IH
V
OL
V
OH
1. I
DD
同时，积极进行读或写（编程或擦除）操作正在进行中。
2.设备在就绪模式下，当没有活动的LPC总线上。
3.不要违反处理器或芯片组规格方面INIT ＃电压。
表21 ：建议的系统上电时序
符号
T
PU-READ1
T
PU-WRITE1
参数
上电到读操作
上电到写操作
最低
100
100
单位
s
s
T21.0 1237
1.此参数的测量只为最初的资格和设计或工艺变更可能影响该参数后，
表22 ：引脚电容
(V
DD
= 3.3V ，T
A
= 25 ° C，F = 1 MHz，其他引脚开路）
参数
C
I / O
1
描述
I / O引脚的电容
输入电容
引脚电感
测试条件
V
I / O
=0V
V
IN
=0V
最大
12 pF的
12 pF的
20 nH的
T22.0 1237
C
IN1
L
PIN2
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
2.请参阅PCI规范。
2006硅存储技术公司
S71237-07-000
9/06
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