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16兆位LPC串行闪存
SST49LF016C
数据表
自动地址递增（AAI ）模式
AAI模式与多字节编程
AAI模式与多字节的编程提供了一种用于高
高速生产编程。自动地址递增
方式仅需要一个地址加载的每个128字节
数据页。
服用WP ＃ / AAI引脚连接到超高压V
H
使
在AAI模式。该AAI命令开始作为一个正常的
固件存储周期。 LD ＃应该是低（Ⅴ
IL
），只要
当数据被加载到该设备。在MADDR领域，
主机的可能输入的128字节的页内的任意地址
进行编程。的所述至少显著7位
地址字段将被忽略，该设备将开始亲
在128字节页的开始编程（即
地址将是页对齐） 。该设备就绪/忙台站
土族是对RY / BY ＃引脚输出。
数据被接受，直到内部缓冲区已满。在该点
RY / BY＃变低（忙），以表示内部缓冲器
已满，不能接受任何更多的数据。当该装置
准备就绪后， RY / BY ＃引脚为高电平，并指示主机
更多的数据（字节的下一组）可以被接受
通过内部数据缓冲器（见表18和图8）。
装入128字节的页的最后一个字节（多个）之后， RY /
BY＃信号保持为低电平，直到完成内部的亲
编程。在完成编程后，器件
将进入闲置模式， RY / BY ＃变高，表示
该AAI命令已完成（见表18 ） 。
随后AAI命令可以启动，开始亲
编程的下一个128字节的页。
数据将通过该装置，只要可被接纳为LD ＃为低电平
和RY / BY＃为高（直到128个字节的页的最后一个字节
已输入） 。对于局部数据负载（即，小于
128字节） ， LD ＃可采取高（V
IH
），以结束数据
装载。如果LD ＃变高之前的全部128个字节的页面有
被输入，则设备将编程具有该数据
已经输入到该点，然后终止该AAI
页面编程命令。任何未完全装
数据字节（半字节）将不被编程。该设备将
通过驱动RYBY ＃高表示该命令完成。
一旦RY / BY ＃变高， LD ＃可采取低到开始
在不同的地址新的AAI编程操作
位置。
该RY / BY ＃引脚将保持在低水平，而内部编程
完成。当整个128字节页面已经亲
编程，设备将返回到空闲模式，并且
RY / BY ＃引脚将变为高电平（V
IH
）来表示AAI命令
已经完成。
表18 ：LD ＃输入和RY / BY ＃中的地位
AAI模式
LD ＃ RY / BY ＃ RY / BY ＃
状态的状态
标志指示
L
L
L
H
H
H
L
H
H
L
设备准备就绪，可以接受更多的数据
直到最后（ 128
th
）字节。
设备正忙，无法接受更多的数据
设备已准备好为下一个操作，如果
以前的数据是最后一个（ 128
th
）字节。
设备已准备好为接下来的操作
设备忙于编程
T18.1 1237
用户可以终止AAI编程通过删除
WP ＃ / AAI管脚为TTL电平（V
IH
/V
IL
），只要二极管＃是高
而RY / BY ＃返回高表示完成的
AAI周期。软件块锁将在AAI被禁用
模式（所有块会写解锁） 。如果AAI低于
在超高压V
H
RY / BY ＃返回高（之前
LD ＃高） ，页面的内容可能是不确定的。
2006硅存储技术公司
S71237-07-000
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