STB70NF3LL
STP70NF3LL
N沟道30V - 0.0075
- 70A DPAK / TO-220
低栅电荷的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STB70NF3LL
STP70NF3LL
s
s
s
s
V
DSS
30 V
30 V
R
DS （ ON）
< 0.0095
< 0.0095
I
D
70 A
70 A
典型
DS
（上） = 0.0075
@ 10 V
最优
DS （ ON）
X的Qg权衡@ 4.5 V
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
3
1
3
1
2
描述
此应用程序特定的功率MOSFET是
的STMicroelectronis独特"Sin-第三genaration
GLE特征大小 "条为基础的过程。在重
质保的义务晶体管显示之间的最佳平衡点
导通电阻和栅极电荷。当用作
高，低侧降压稳压器，它给人的
在两个传导方面的最佳性能和
开关损耗。这是极其重要的
其中，主板快速开关和高艾菲
效率是非常重要的。
应用
s
专门设计和优化
高效率的CPU CORE DC / DC
转换器
s
切换应用程序
D
2
PAK
TO-263
（后缀“ T4 ” ）
TO-220
内部原理图
订购信息
销售类型
STB70NF3LLT4
STP70NF3LL
记号
B70NF3LL@
P70NF3LL@
包
D
2
PAK
TO-220
包装
磁带&卷轴
管
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
()
I
D
I
DM
()
P
合计
dv / dt的
(1)
E
AS （2）
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
工作结温
价值
30
30
± 16
70
50
280
100
0.67
5.5
500
-55至175
(1) I
SD
≤70A,
的di / dt
≤350A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
（ 2 ）起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 35A ，V
DD
= 25V
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
()
由封装电流限制
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
2003年10月
1/10
新的数据表，根据PCN DSG / CT / 2C13标记： P70NF3LL @ B70NF3LL @
