STB70NF3LL
N沟道30V - 0.0075Ω - 70A - D
2
PAK
低栅电荷的STripFET II功率MOSFET
一般特点
TYPE
STB70NF3LL
■
■
■
V
DSS
30V
R
DS （ ON）
< 0.0095Ω
I
D
70A
最优
DS （ ON）
X的Qg权衡@ 4.5V
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
3
1
DPAK
描述
此应用程序特定的功率MOSFET是
STMicroelectronis独特的第三genaration
"Single特征大小 "条为基础的过程。该
导致晶体管显示出最佳的权衡
之间的导通电阻和栅极电荷。当
在降压稳压器用于高端和低端，它
给出了在两个方面的最佳性能
传导和开关损耗。这是
对于主板在那里快速极其重要
开关和高效率是至
重要性。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STB70NF3LLT4
记号
B70NF3LL@
包
D
2
PAK
包装
磁带&卷轴
2006年7月
第七版
1/13
www.st.com
13
目录
STB70NF3LL
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
2/13
STB70NF3LL
电气特性
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
I
D
= 35A
V
DD
= 15V
V
GS
= 4.5V
R
G
= 4.7
（阻性负载
图16）
V
DD
= 15V我
D
= 70A
V
GS
= 4.5V
V
DD
= 15 V
I
D
= 35 A
V
GS
= 4.5 V
R
G
= 4.7,
（阻性负载
图16）
民
典型值
23
165
24
8.5
12
27
28
33
最大
单位
ns
ns
nC
nC
nC
ns
ns
表6 。
符号
I
SD
I
SDM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
I
SD
= 70 A
V
GS
= 0
42
52
2.5
测试条件
民
典型值
最大
70
280
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
(1)
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
I
SD
= 70一的di / dt = 100A / μs的
T
J
= 150°C
反向恢复电荷V
DD
= 20 V
反向恢复电流（见测试电路
图14）
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
5/13
STB70NF3LL
STP70NF3LL
N沟道30V - 0.0075
- 70A DPAK / TO-220
低栅电荷的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STB70NF3LL
STP70NF3LL
s
s
s
s
V
DSS
30 V
30 V
R
DS （ ON）
< 0.0095
< 0.0095
I
D
70 A
70 A
典型
DS
（上） = 0.0075
@ 10 V
最优
DS （ ON）
X的Qg权衡@ 4.5 V
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
3
1
3
1
2
描述
此应用程序特定的功率MOSFET是
的STMicroelectronis独特"Sin-第三genaration
GLE特征大小 "条为基础的过程。在重
质保的义务晶体管显示之间的最佳平衡点
导通电阻和栅极电荷。当用作
高，低侧降压稳压器，它给人的
在两个传导方面的最佳性能和
开关损耗。这是极其重要的
其中，主板快速开关和高艾菲
效率是非常重要的。
应用
s
专门设计和优化
高效率的CPU CORE DC / DC
转换器
s
切换应用程序
D
2
PAK
TO-263
（后缀“ T4 ” ）
TO-220
内部原理图
订购信息
销售类型
STB70NF3LLT4
STP70NF3LL
记号
B70NF3LL@
P70NF3LL@
包
D
2
PAK
TO-220
包装
磁带&卷轴
管
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
()
I
D
I
DM
()
P
合计
dv / dt的
(1)
E
AS （2）
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
工作结温
价值
30
30
± 16
70
50
280
100
0.67
5.5
500
-55至175
(1) I
SD
≤70A,
的di / dt
≤350A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
（ 2 ）起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 35A ，V
DD
= 25V
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
()
由封装电流限制
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
2003年10月
1/10
新的数据表，根据PCN DSG / CT / 2C13标记： P70NF3LL @ B70NF3LL @
STB70NF3LL
STP70NF3LL
N沟道30V - 0.0075
- 70A DPAK / TO-220
低栅电荷的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STB70NF3LL
STP70NF3LL
s
s
s
s
V
DSS
30 V
30 V
R
DS （ ON）
< 0.0095
< 0.0095
I
D
70 A
70 A
典型
DS
（上） = 0.0075
@ 10 V
最优
DS （ ON）
X的Qg权衡@ 4.5 V
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
3
1
3
1
2
描述
此应用程序特定的功率MOSFET是
的STMicroelectronis独特"Sin-第三genaration
GLE特征大小 "条为基础的过程。在重
质保的义务晶体管显示之间的最佳平衡点
导通电阻和栅极电荷。当用作
高，低侧降压稳压器，它给人的
在两个传导方面的最佳性能和
开关损耗。这是极其重要的
其中，主板快速开关和高艾菲
效率是非常重要的。
应用
s
专门设计和优化
高效率的CPU CORE DC / DC
转换器
s
切换应用程序
D
2
PAK
TO-263
（后缀“ T4 ” ）
TO-220
内部原理图
订购信息
销售类型
STB70NF3LLT4
STP70NF3LL
记号
B70NF3LL@
P70NF3LL@
包
D
2
PAK
TO-220
包装
磁带&卷轴
管
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
()
I
D
I
DM
()
P
合计
dv / dt的
(1)
E
AS （2）
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
工作结温
价值
30
30
± 16
70
50
280
100
0.67
5.5
500
-55至175
(1) I
SD
≤70A,
的di / dt
≤350A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
（ 2 ）起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 35A ，V
DD
= 25V
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
()
由封装电流限制
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
2003年10月
1/10
新的数据表，根据PCN DSG / CT / 2C13标记： P70NF3LL @ B70NF3LL @
QQ：2880707522 复制
