16兆位/ 32兆位/ 64兆位多用途闪存+
SST39VF1601 / SST39VF3201 / SST39VF6401
SST39VF1602 / SST39VF3202 / SST39VF6402
初步规格
AC特性
表16 ，R
EAD
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
V
DD
= 2.7-3.6V
SST39VFxx01/xx02-70
符号
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ1
T
OLZ1
T
CHZ1
T
OHZ1
T
OH
1
SST39VFxx01/xx02-90
民
90
最大
90
90
45
0
0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
30
30
0
500
50
ns
ns
ns
ns
ns
20
s
T16.3 1223
参数
读周期时间
芯片使能存取时间
地址访问时间
输出启用访问时间
CE＃低电平至输出
OE ＃低到有源输出
CE＃高到高阻输出
OE ＃高到高阻输出
从地址变更输出保持
RST ＃脉冲宽度
之前RST ＃高读取
RST ＃引脚低电平阅读模式
民
70
最大
70
70
35
0
0
20
20
0
500
50
20
T
RP1
T
RHR1
T
RY1,2
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
2.此参数适用于扇区擦除，块擦除和编程操作。
此参数不适用于全片擦除操作。
表17 ：P
ROGRAM
/E
RASE
C
YCLE
T
即时通信
P
ARAMETERS
符号
T
BP
T
AS
T
AH
T
CS
T
CH
T
OES
T
OEH
T
CP
T
WP
T
WPH
T
DS
T
DH1
T
IDA1
T
SE
T
BE
T
SCE
1
参数
字编程时间
地址建立时间
地址保持时间
WE＃和CE ＃建立时间
WE＃和CE ＃保持时间
OE ＃高的建立时间
OE ＃高保持时间
CE＃脉冲宽度
WE＃脉冲宽度
WE＃脉冲宽高
CE＃脉冲宽高
数据建立时间
数据保持时间
软件ID准入和退出时间
扇区擦除
块擦除
芯片擦除
民
0
30
0
0
0
10
40
40
30
30
30
0
最大
10
单位
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
T
CPH1
150
25
25
50
ns
ms
ms
ms
T17.1 1223
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
2003硅存储技术公司
S71223-03-000
11/03
14
