16兆位/ 32兆位/ 64兆位多用途闪存+
SST39VF1601 / SST39VF3201 / SST39VF6401
SST39VF1602 / SST39VF3202 / SST39VF6402
初步规格
表7 ： CFI Q
UERY
I
DENTIFICATION
S
TRING1 FOR
SST39VF160
X
/320
X
/640
X
地址
10H
11H
12H
13H
14H
15H
16H
17H
18H
19H
1AH
数据
0051H
0052H
0059H
0001H
0007H
0000H
0000H
0000H
0000H
0000H
0000H
数据
查询独特的ASCII字符串“ QRY ”
初级OEM命令集
地址初级扩展表
备用OEM命令集（ 00H =不存在）
地址备用OEM扩展表（ 00H =无退出）
T7.1 1223
1.参考CFI出版100的更多细节。
表8 ：
变体系
I
覆盖整个院落
I
载文信息
地址
1BH
1CH
1DH
1EH
1FH
20H
21H
22H
23H
24H
25H
26H
数据
0027H
0036H
0000H
0000H
0003H
0000H
0004H
0005H
0001H
0000H
0001H
0001H
数据
为
SST39VF160
X
/320
X
/640
X
V
DD
敏（编程/擦除）
DQ
7
-DQ
4
：电压， DQ
3
-DQ
0
： 100毫伏
V
DD
马克斯（编程/擦除）
DQ
7
-DQ
4
：电压， DQ
3
-DQ
0
： 100毫伏
V
PP
分钟。 （ 00H =无V
PP
针）
V
PP
最大。 （ 00H =无V
PP
针）
典型的超时为字编程2
N
s (2
3
= 8 s)
典型的超时时间为分钟。大小的缓冲区方案2
N
微秒（ 00H =不支持）
典型的超时个别部门/块擦除2
N
MS（ 2
4
= 16毫秒）
典型的超时为芯片擦除2
N
MS（ 2
5
= 32毫秒）
最大超时的字编程2
N
时代的典型（ 2
1
x 2
3
= 16 s)
最大超时缓冲区方案2
N
时代典型
最大超时个别部门/块擦除2
N
时代的典型（ 2
1
x 2
4
= 32毫秒）
最大超时芯片擦2
N
时代的典型（ 2
1
x 2
5
= 64毫秒）
T8.3 1223
表9 ：D
EVICE
G
EOMETRY
I
载文信息
地址
27H
28H
29H
2AH
2BH
2CH
2DH
2EH
2FH
30H
31H
32H
33H
34H
数据
0015H
0001H
0000H
0000H
0000H
0002H
00FFH
0001H
0010H
0000H
001FH
0000H
0000H
0001H
为
SST39VF1601/1602
数据
器件尺寸= 2
N
字节（ 15H = 21 ; 2
21
= 2兆字节）
闪存设备接口描述; 0001H = X16仅异步接口
字节的多字节写最大数目= 2
N
（ 00H =不支持）
支持的设备擦除扇区/块大小数
部门信息（y + 1 =扇区数; ZX = 256B扇区大小）
Y = 511 + 1 = 512个扇区（ 01FF = 511
Z = 16× 256字节= 4 K字节/扇区（ 0010H = 16 ）
块信息（y + 1 =块数目; ZX 256B =块大小）
Y = 31 + 1 = 32块（ 001F = 31 ）
Z = 256× 256字节= 64 K字节/块（ 0100H = 256）
T9.0 1223
2003硅存储技术公司
S71223-03-000
11/03
10
