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K9K1G08U0M - YCB0 ， K9K1G08U0M - YIB0
NAND闪存技术说明
无效块（S ）
FL灰内存
无效块被定义为包含一个或多个无效位，其可靠性并不由三星保证块。在我nfor-
对于无效块（多个）形变是所谓的作为无效块的信息。无效块（ S）器件具有相同的质量
所有有效的块级或作为设备和具有相同的交流和直流特性。一个无效的块（ S）不影响perfor-
曼斯有效块（多个） ，因为它是从位线与通过选择晶体管的共源极线中分离的。该系统设计
必须能屏蔽掉经由地址的映射无效块（多个） 。的NAND闪存的1号地块，但是，充分保证
是一个有效的块。 1号地块，这是摆在00H块地址，是完全有保证是一个有效的块，不需要错误
校正。
识别无效块（ S）
所有设备的位置被删除（ FFH ）除非无效块（S ）的信息在发货之前写的位置。在我NVALID
块（多个）状态由在备用区中的第6字节中定义。三星可确保无论是第一或每invali的D第2页
块具有517列地址非-FFH的数据。由于无效块的信息也可擦在大多数情况下，它是impos-
sible恢复这些信息一旦被删除。因此，该系统必须能够识别无效块（多个）基于
在原始无效块信息，并通过下面的建议流程图（图4）创建的无效块表。任何意向
被禁止的原始无效块信息tional擦除。
开始
设置块地址= 0
增量块地址
创建（或更新）
无效块（多个）表
No
*
检查"FFh" ？
是的
检查"FFh"在列地址517
在块中的第一和第二页的
No
最后一个数据块？
是的
结束
图4.流程图创建无效块表。
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