【K9K1G08U0M - YCB0 ， K9K1G08U0M - YIB0文档标题128M ×8位N】,IC型号K9K1G08U0M-YCB0,K9K1G08U0M-YCB0 PDF资料,K9K1G08U0M-YCB0经销商,ic,电子元器件-51电子网

K9K1G08U0M - YCB0 ， K9K1G08U0M - YIB0

文档标题

128M ×8位NAND闪存

修订历史

版本号

0.0

0.1

0.2

FL灰内存

历史

1.初始发行

1. [第31页]设备代码（ 76H ） -->设备代码（ 79H ）

1.Powerup序列添加

：内部电路得到之前需要1μs的最小恢复时间

准备好所有的命令序列

草案日期

2001年4月7日

2001年7月3日

备注

2001年7月23日

2.5V

高

≈

2.5V

2.交流参数TCLR （ CLE到RE延迟，最小为50ns ）加入。

3. [第28页]只有一个地址

到A

有效而A

到A

被忽略

-->只有一个地址

到A

有效而A

到A

被忽略

0.3

（第30页）

A14和A15必须是源和目标页之间的相同

--> A14， A15和A26必须是源和目标页之间的相同

2001年9月13日

注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。

http://www.intl.samsungsemi.com/Memory/Flash/datasheets.html

所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。， LTD 。保留

右来改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您

有任何问题，请联系三星分公司附近的办公室。

≈

K9K1G08U0M - YCB0 ， K9K1G08U0M - YIB0

128M ×8位NAND闪存

特点

电源电压： 2.7V 3.6V

组织

- 存储单元阵列：（ 128M + 4,096K ）位x 8位

- 数据寄存器：（ 512 + 16 ）位x8bit multipled八架

自动编程和擦除

- 页编程：（ 512 + 16 ）字节

- 块擦除：（ 16K + 512 ）字节

528字节页读操作

- 随机访问： 12μ秒（最大）

- 串行页面访问：为50ns （最小值）

快速写周期时间

- 计划时间：为200μs （典型值）

- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。

命令/地址/数据多路复用I / O端口

硬件数据保护

- 编程/擦除锁定在电源转换

可靠的CMOS浮栅技术

- 耐力： 100K编程/擦除周期

- 数据保存： 10年

命令寄存器操作

智能复制回操作

包装：

- K9K1G08U0M - YCB0 ， K9K1G08U0M - YIB0 ：

48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距）

同时四页/块编程/擦除

FL灰内存

概述

该K9K1G08U0M是128M （ 134217728 ） x8bit NAND闪存

内存备用4.096K （ 4,194,304 ） x8bit 。它的NAND单元

提供了用于将固态的最具成本效益的解决方案

海量存储市场。一种程序，就可以执行操作

在528字节页和擦除操作典型为200ps

可以在一个16K字节块的典型2ms的执行。在数据

该页面可在每字节50ns的周期时间被读出。在I / O

销作为如地址和数据输入/输出端口

以及命令的输入。片上写控制器自动

所有队友编程和擦除功能，包括脉冲repeti-

化，在需要和内部核查和裕

数据。即使是写密集型系统可以利用

该K9K1G08U0M的扩展的100K计划的可靠性/擦除

周期提供ECC （纠错码）与实时

映射出的算法。该K9K1G08U0M - YCB0 / YIB0是

对于大型非易失性存储等应用的最佳解决方案

固态存储文件和其它便携式应用要求还

荷兰国际集团的非挥发性。

引脚配置

N.C

R / B

N.C

VCC

VSS

N.C

CLE

ALE

N.C

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

N.C

VCC

VSS

N.C

I/O3

I/O2

I/O1

I/O0

N.C

引脚说明

引脚名称

I / O

- I / O

CLE

ALE

R / B

N.C

引脚功能

数据输入/输出

命令锁存使能

地址锁存使能

芯片使能

读使能

写使能

写保护

READY / BUSY输出

Power(+2.7V~3.6V)

地

无连接

48引脚TSOP1

标准型

12毫米X 20毫米

记

：将所有V

和V

每个设备共用电源输出的引脚。

不要让V

或V

断开。

K9K1G08U0M - YCB0 ， K9K1G08U0M - YIB0

图1.功能框图

- A

X -缓冲器

锁存器

&解码器

Y型缓冲器

锁存器

&解码器

FL灰内存

1,024M + 32M位

NAND闪存

ARRAY

- A

（ 512 + 16 ）字节x 262,144

页寄存器& S / A

命令

Y型GATING

I / O缓冲器&锁存器

I/0 0

I/0 7

控制逻辑

&高压

发电机

全球缓冲区

产量

司机

CLE ALE WP

图2.阵列组织

1块= 32页

（ 16K + 512 ）字节

256K的页面

（ = 8,192块）

上半场页寄存器

（ = 256字节）

下半场页寄存器

（ = 256字节）

第1页= 528字节

1块= 528 B ×32页

= （ 16K + 512 ）字节

1设备= 528B X 32Pages X 8,192块

= 1056兆

8位

512B字节

16个字节

页寄存器

512个字节

16个字节

I / O 0 I / O 7

I / O 0

第一个周期

第二个周期

第三轮

第四轮

I / O 1

I / O 2

I / O 3

I / O 4

I / O 5

I / O 6

I / O 7

列地址

行地址

（页面地址）

记

：列地址：启动注册的地址。

00H命令（读）：定义寄存器上半年的起始地址。

01H命令（读）：定义寄存器下半年的起始地址。

* A

由00H或01H命令设置为"Low"或"High" 。

* L必须设置为"Low" 。

*该设备将忽略地址周期比reguired任何额外的投入。

K9K1G08U0M - YCB0 ， K9K1G08U0M - YIB0

产品介绍

FL灰内存

该K9K1G08U0M是由528列组织为262,144行（页）一1,026Mbit （ 1107296436位）内存。备件16同事

UMNS位于从列地址为512 527阿528字节的数据寄存器连接到存储器单元阵列收容

在页面读取和页编程操作的I / O缓冲区和内存之间的数据传输。所述存储器阵列是由

16个单元被串联连接以形成NAND结构。每16个单元的驻留在不同的页面。块组成的

由两个与非结构形成的32页，共16个单元的16384的NAND结构。阵列组织示于图2 。

程序和读操作都在一个页面基础上执行的，而擦除操作以块为基础执行。内存

阵列由8192分别可擦除16K字节的块。它表明，逐位擦除操作被禁止的

K9K1G08U0M.

该K9K1G08U0M具有复用为8个I / O的地址。该方案极大地减少引脚数量，并允许系统

升级到未来的密度维持在主板设计的一致性。命令，地址和数据都是通过写入

I / O的通过将WE低，而CE为低。数据锁定在WE的上升沿。命令锁存使能（ CLE ）和地址

锁存使能（ ALE ）用于复分别命令和地址，通过I / O引脚。在128M字节的物理空间

需要27个地址，因此需要四个周期的字节级寻址：列地址，低行地址和列高

地址，按照该顺序。页面读取和页编程需要以下所需的指令输入四个相同的地址周期。在

块擦除操作，但是，只有3行地址周期被使用。设备操作都通过写入特定的C OM-选择

mands到命令寄存器。表1定义了K9K1G08U0M的特定命令。

该设备可同时提供编程/擦除能力高达4页/块。通过将存储器阵列分为8的128Mbit

分开的平面，同时多面操作显着地增加由4X编程/擦除性能，同时仍保持

传统的512字节结构。

扩展的合格/不合格的多平面编程/擦除状态允许系统软件能够快速识别的失败页/块欧吨

选择多页/块。多面操作的使用将进一步在本文档中被描述。

除了增强的架构和接口，该器件集成了复制回程序功能，从一个网页到另一个

的，而不需要将数据传输到和从外部缓冲存储器的同一平面上。由于耗时的突发

读出和数据输入周期被除去，固态磁盘的应用系统的性能显著增加。

表1.命令集

功能

阅读1

阅读2

读取ID

RESET

页编程（真）

(2)

网页程序（虚拟）

(2)

复制回收计划（真）

(2)

复制回收计划（虚拟）

(2)

块擦除

多面块擦除

阅读状态

阅读多平面状态

1日。周期

00h/01h

(1)

50h

90h

FFH

80h

00h

03h

60h

60h----60h

70h

71h

(3)

第2位。周期

10h

11h

8Ah

D0h

3 。周期

10h

11h

接受命令

在繁忙

记

1. 00H命令定义启动寄存器上半年的地址。

该01H命令定义启动寄存器下半年的地址。

之后，由01H命令对寄存器的下半年数据存取，状态指针

自动移动到下一个周期的前半寄存器（ 00H ）。

2.页面编程（真），并复制回计划（真）可在1飞机的操作。

网页程序（虚拟），并复制回计划（虚拟）都可以在第二，第三，第四多面操作的平面。

3.部71h命令应该用于多面操作的读状态。

小心

：任何未定义的命令输入被禁止的，除了表1中的上述命令集。

K9K1G08U0M - YCB0 ， K9K1G08U0M - YIB0

存储器映射

FL灰内存

该装置被布置在8的128Mbit存储器平面。每架飞机包含1024块和528字节页寄存器。这使得

它同时执行多个程序页和块由每架飞机中选择一个页面或块擦除。块地址映射为

通过将存储器配置成使得多平面编程/擦除操作可以每四个连续的块被执行

数组转换成平面0 3或飞机4 7分开。例如，多平面编程/擦除操作成平面2,3,4和5 prohib-

资讯科技教育。

图3.内存阵列地图

平面0

（ 1024座）

平面1

（ 1024座）

平面2

（ 1024座）

平面3

（ 1024座）

块0

第0页

第1页

1座

第0页

第1页

BLOCK 2

第0页

第1页

3座

第0页

第1页

第30页

第31页

第30页

第31页

第30页

第31页

第30页

第31页

4092块

第0页

第1页

4093块

第0页

第1页

4094块

第0页

第1页

4095块

第0页

第1页

第30页

第31页

第30页

第31页

第30页

第31页

第30页

第31页

528byte页面寄存器

飞机4

（ 1024座）

飞机5

（ 1024座）

飞机6

（ 1024座）

飞机7

（ 1024座）

4096块

第0页

第1页

4097块

第0页

第1页

4098块

第0页

第1页

4099块

第0页

第1页

第30页

第31页

第30页

第31页

第30页

第31页

第30页

第31页

8188块

第0页

第1页

8189块

第0页

第1页

8190块

第0页

第1页

8191块

第0页

第1页

第30页

第31页

第30页

第31页

第30页

第31页

第30页

第31页

528byte页面寄存器

K9K1G08U0M - YCB0 ， K9K1G08U0M - YIB0

文档标题

128M ×8位NAND闪存

修订历史

版本号

0.0

0.1

0.2

FL灰内存

历史

1.初始发行

1. [第31页]设备代码（ 76H ） -->设备代码（ 79H ）

1.Powerup序列添加

：内部电路得到之前需要1μs的最小恢复时间

准备好所有的命令序列

草案日期

2001年4月7日

2001年7月3日

备注

2001年7月23日

2.5V

高

≈

2.5V

2.交流参数TCLR （ CLE到RE延迟，最小为50ns ）加入。

3. [第28页]只有一个地址

到A

有效而A

到A

被忽略

-->只有一个地址

到A

有效而A

到A

被忽略

0.3

（第30页）

A14和A15必须是源和目标页之间的相同

--> A14， A15和A26必须是源和目标页之间的相同

2001年9月13日

注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。

http://www.intl.samsungsemi.com/Memory/Flash/datasheets.html

所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。， LTD 。保留

右来改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您

有任何问题，请联系三星分公司附近的办公室。

≈

K9K1G08U0M - YCB0 ， K9K1G08U0M - YIB0

128M ×8位NAND闪存

特点

电源电压： 2.7V 3.6V

组织

- 存储单元阵列：（ 128M + 4,096K ）位x 8位

- 数据寄存器：（ 512 + 16 ）位x8bit multipled八架

自动编程和擦除

- 页编程：（ 512 + 16 ）字节

- 块擦除：（ 16K + 512 ）字节

528字节页读操作

- 随机访问： 12μ秒（最大）

- 串行页面访问：为50ns （最小值）

快速写周期时间

- 计划时间：为200μs （典型值）

- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。

命令/地址/数据多路复用I / O端口

硬件数据保护

- 编程/擦除锁定在电源转换

可靠的CMOS浮栅技术

- 耐力： 100K编程/擦除周期

- 数据保存： 10年

命令寄存器操作

智能复制回操作

包装：

- K9K1G08U0M - YCB0 ， K9K1G08U0M - YIB0 ：

48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距）

同时四页/块编程/擦除

FL灰内存

概述

该K9K1G08U0M是128M （ 134217728 ） x8bit NAND闪存

内存备用4.096K （ 4,194,304 ） x8bit 。它的NAND单元

提供了用于将固态的最具成本效益的解决方案

海量存储市场。一种程序，就可以执行操作

在528字节页和擦除操作典型为200ps

可以在一个16K字节块的典型2ms的执行。在数据

该页面可在每字节50ns的周期时间被读出。在I / O

销作为如地址和数据输入/输出端口

以及命令的输入。片上写控制器自动

所有队友编程和擦除功能，包括脉冲repeti-

化，在需要和内部核查和裕

数据。即使是写密集型系统可以利用

该K9K1G08U0M的扩展的100K计划的可靠性/擦除

周期提供ECC （纠错码）与实时

映射出的算法。该K9K1G08U0M - YCB0 / YIB0是

对于大型非易失性存储等应用的最佳解决方案

固态存储文件和其它便携式应用要求还

荷兰国际集团的非挥发性。

引脚配置

N.C

R / B

N.C

VCC

VSS

N.C

CLE

ALE

N.C

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

N.C

VCC

VSS

N.C

I/O3

I/O2

I/O1

I/O0

N.C

引脚说明

引脚名称

I / O

- I / O

CLE

ALE

R / B

N.C

引脚功能

数据输入/输出

命令锁存使能

地址锁存使能

芯片使能

读使能

写使能

写保护

READY / BUSY输出

Power(+2.7V~3.6V)

地

无连接

48引脚TSOP1

标准型

12毫米X 20毫米

记

：将所有V

和V

每个设备共用电源输出的引脚。

不要让V

或V

断开。

K9K1G08U0M - YCB0 ， K9K1G08U0M - YIB0

图1.功能框图

- A

X -缓冲器

锁存器

&解码器

Y型缓冲器

锁存器

&解码器

FL灰内存

1,024M + 32M位

NAND闪存

ARRAY

- A

（ 512 + 16 ）字节x 262,144

页寄存器& S / A

命令

Y型GATING

I / O缓冲器&锁存器

I/0 0

I/0 7

控制逻辑

&高压

发电机

全球缓冲区

产量

司机

CLE ALE WP

图2.阵列组织

1块= 32页

（ 16K + 512 ）字节

256K的页面

（ = 8,192块）

上半场页寄存器

（ = 256字节）

下半场页寄存器

（ = 256字节）

第1页= 528字节

1块= 528 B ×32页

= （ 16K + 512 ）字节

1设备= 528B X 32Pages X 8,192块

= 1056兆

8位

512B字节

16个字节

页寄存器

512个字节

16个字节

I / O 0 I / O 7

I / O 0

第一个周期

第二个周期

第三轮

第四轮

I / O 1

I / O 2

I / O 3

I / O 4

I / O 5

I / O 6

I / O 7

列地址

行地址

（页面地址）

记

：列地址：启动注册的地址。

00H命令（读）：定义寄存器上半年的起始地址。

01H命令（读）：定义寄存器下半年的起始地址。

* A

由00H或01H命令设置为"Low"或"High" 。

* L必须设置为"Low" 。

*该设备将忽略地址周期比reguired任何额外的投入。

K9K1G08U0M - YCB0 ， K9K1G08U0M - YIB0

产品介绍

FL灰内存

该K9K1G08U0M是由528列组织为262,144行（页）一1,026Mbit （ 1107296436位）内存。备件16同事

UMNS位于从列地址为512 527阿528字节的数据寄存器连接到存储器单元阵列收容

在页面读取和页编程操作的I / O缓冲区和内存之间的数据传输。所述存储器阵列是由

16个单元被串联连接以形成NAND结构。每16个单元的驻留在不同的页面。块组成的

由两个与非结构形成的32页，共16个单元的16384的NAND结构。阵列组织示于图2 。

程序和读操作都在一个页面基础上执行的，而擦除操作以块为基础执行。内存

阵列由8192分别可擦除16K字节的块。它表明，逐位擦除操作被禁止的

K9K1G08U0M.

该K9K1G08U0M具有复用为8个I / O的地址。该方案极大地减少引脚数量，并允许系统

升级到未来的密度维持在主板设计的一致性。命令，地址和数据都是通过写入

I / O的通过将WE低，而CE为低。数据锁定在WE的上升沿。命令锁存使能（ CLE ）和地址

锁存使能（ ALE ）用于复分别命令和地址，通过I / O引脚。在128M字节的物理空间

需要27个地址，因此需要四个周期的字节级寻址：列地址，低行地址和列高

地址，按照该顺序。页面读取和页编程需要以下所需的指令输入四个相同的地址周期。在

块擦除操作，但是，只有3行地址周期被使用。设备操作都通过写入特定的C OM-选择

mands到命令寄存器。表1定义了K9K1G08U0M的特定命令。

该设备可同时提供编程/擦除能力高达4页/块。通过将存储器阵列分为8的128Mbit

分开的平面，同时多面操作显着地增加由4X编程/擦除性能，同时仍保持

传统的512字节结构。

扩展的合格/不合格的多平面编程/擦除状态允许系统软件能够快速识别的失败页/块欧吨

选择多页/块。多面操作的使用将进一步在本文档中被描述。

除了增强的架构和接口，该器件集成了复制回程序功能，从一个网页到另一个

的，而不需要将数据传输到和从外部缓冲存储器的同一平面上。由于耗时的突发

读出和数据输入周期被除去，固态磁盘的应用系统的性能显著增加。

表1.命令集

功能

阅读1

阅读2

读取ID

RESET

页编程（真）

(2)

网页程序（虚拟）

(2)

复制回收计划（真）

(2)

复制回收计划（虚拟）

(2)

块擦除

多面块擦除

阅读状态

阅读多平面状态

1日。周期

00h/01h

(1)

50h

90h

FFH

80h

00h

03h

60h

60h----60h

70h

71h

(3)

第2位。周期

10h

11h

8Ah

D0h

3 。周期

10h

11h

接受命令

在繁忙

记

1. 00H命令定义启动寄存器上半年的地址。

该01H命令定义启动寄存器下半年的地址。

之后，由01H命令对寄存器的下半年数据存取，状态指针

自动移动到下一个周期的前半寄存器（ 00H ）。

2.页面编程（真），并复制回计划（真）可在1飞机的操作。

网页程序（虚拟），并复制回计划（虚拟）都可以在第二，第三，第四多面操作的平面。

3.部71h命令应该用于多面操作的读状态。

小心

：任何未定义的命令输入被禁止的，除了表1中的上述命令集。

K9K1G08U0M - YCB0 ， K9K1G08U0M - YIB0

存储器映射

FL灰内存

该装置被布置在8的128Mbit存储器平面。每架飞机包含1024块和528字节页寄存器。这使得

它同时执行多个程序页和块由每架飞机中选择一个页面或块擦除。块地址映射为

通过将存储器配置成使得多平面编程/擦除操作可以每四个连续的块被执行

数组转换成平面0 3或飞机4 7分开。例如，多平面编程/擦除操作成平面2,3,4和5 prohib-

资讯科技教育。

图3.内存阵列地图

平面0

（ 1024座）

平面1

（ 1024座）

平面2

（ 1024座）

平面3

（ 1024座）

块0

第0页

第1页

1座

第0页

第1页

BLOCK 2

第0页

第1页

3座

第0页

第1页

第30页

第31页

第30页

第31页

第30页

第31页

第30页

第31页

4092块

第0页

第1页

4093块

第0页

第1页

4094块

第0页

第1页

4095块

第0页

第1页

第30页

第31页

第30页

第31页

第30页

第31页

第30页

第31页

528byte页面寄存器

飞机4

（ 1024座）

飞机5

（ 1024座）

飞机6

（ 1024座）

飞机7

（ 1024座）

4096块

第0页

第1页

4097块

第0页

第1页

4098块

第0页

第1页

4099块

第0页

第1页

第30页

第31页

第30页

第31页

第30页

第31页

第30页

第31页

8188块

第0页

第1页

8189块

第0页

第1页

8190块

第0页

第1页

8191块

第0页

第1页

第30页

第31页

第30页

第31页

第30页

第31页

第30页

第31页

528byte页面寄存器