SII75N12
NPT IGBT模块
典型值。栅极电荷
V
GE
=
(Q
门
)
参数：
I
PULS
= 75 A
20
V
nF
V
GE
16
14
12
10
8
10
0
6
4
2
0
0
100
200
300
400
nC
550
10
-1
0
600 V
800 V
牛逼YP 。 亚太itanc ES
C = F（V
权证
)
参数： V
摹ê
= 0中，f = 1 MHz的
10
2
C
10
1
C为S
OS s
RS s
5
10
15
20
25
30
Q
门
V
V
CE
40
埃弗斯ê偏置ED s AFE操作区
I
PULS
= F（V
权证
)
,
T
j
= 150°C
参数： V
摹ê
= 15 V
2.5
S园艺 IRC UIT s AFE经营面积
I
（C S）
= F（V
权证
) , T
j
= 150°C
参数： V
摹ê
= ± 15 V ，T
S·C
≤
10微秒，L < 50 nH的
12
I
PULS
/I
C
I
SC
/I
C
8
1.5
6
1.0
4
0.5
2
0.0
0
200
400
600
800
1000 1200
V 1600
V
权证
0
0
200
400
600
800 1000 1200
V 1600
V
权证
S
IRectifier
R
