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SII75N12
NPT IGBT模块
尺寸mm （高度仅1mm = 0.0394" ）
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CRM
V
GES
P
合计
T
VJ ，
(T
英镑
)
V
ISOL
R
thJC
R
thJCD
T
C
= 25
o
C,
除非另有说明
条件
值
1200
105(75)
210(150)
_
+20
625
单位
V
A
A
V
W
o
T
C
= 25(80)
o
C
T
C
= 25(80)
o
C，T
P
=1ms
_
T
手术
＆ LT ;吨
英镑
AC， 1分钟
_
40...+125(150)
2500
_
0.2
＆ LT ;
C
V
K / W
_
0.5
＆ LT ;
S
IRectifier
R
SII75N12
NPT IGBT模块
Electeical特点
符号
条件
静态特性
V
GE （日）
V
GE
= V
CE
, I
C
=3mA
I
CES
V
GE
= 0; V
CE
= 1200V ;牛逼
j
= 25(125)
o
C
I
GES
V
GE
= 20V, V
CE
= 0
V
CE （ SAT ）
I
C
= 75A ; V
GE
= 15V ;牛逼
j
= 25(125)
o
C;
芯片级
AC特性
C
IES
在以下条件下
C
OES
V
GE
= 0, V
CE
= 25V ， F = 1MHz的
C
水库
g
fs
V
CE
=20V
,
I
C
=75A
开关特性
t
D（上）
V
CC
= 600V ，我
C
= 75A
t
r
R
坤
= R
高夫
=15 , T
j
= 125
o
C
t
D（关闭）
V
GE
= ± 15V
t
f
FWD
根据以下条件：
V
F
I
F
= 75A ，V
GE
= 0V ，T
j
= 25(125)
o
C
t
rr
I
F
= 75A ，V
R
=
_
600V, V
GE
=0V,di/dt=
_
900A / us的，T
j
= 125
o
C
_
I
F
= 75A ，V
GE
= 0V, V
R
= 600V
Q
rr
di / dt的？
_
900A / us的，T
j
= 25(125)
o
C
M
s
M
t
w
到散热片M6
端子M5
3
2.5
T
C
= 25
o
C,
除非另有说明
分钟。
4.5
典型值。
5.5
1(4.5)
2.5(3.1)
5.5
0.8
0.3
31
马克斯。
6.5
1.5
320
3(3.7)
单位
V
mA
nA
V
nF
S
30
70
450
70
2.3(1.8)
0.125
3.2(12)
60
140
600
100
2.8
ns
V
us
uC
机械数据
5
5
160
Nm
Nm
g
S
IRectifier
R
SII75N12
NPT IGBT模块
功耗
P
合计
=
(T
C
)
参数：
T
j
≤
150 °C
650
W
550
P
合计
500
450
400
350
300
250
10毫秒
安全工作区
I
C
=
(V
CE
)
参数：
D
= 0,
T
C
= 25°C ,
T
j
≤
150 °C
10
3
A
I
C
t
= 19.0s
p
10
2
100 s
10
1
1毫秒
200
10
0
150
100
50
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
10
-1
0
10
10
1
DC
10
2
10
3
V
T
C
V
CE
集电极电流
I
C
=
(T
C
)
参数：
V
GE
≥
15 V ,
T
j
≤
150 °C
120
A
100
I
C
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数：
D =吨
p
/
T
10
0
IGBT
K / W
Z
thJC
10
-1
10
-2
D = 0.50
0.20
0.10
10
-3
单脉冲
0.05
0.02
0.01
10
-4
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
T
C
t
p
S
IRectifier
R
SII75N12
NPT IGBT模块
牛逼YP 。输出C harac teris抽动s
I
C
= F（V
权证
)
参数：T已
p
= 80微秒，T
j
= 25 °C
150
A
130
牛逼YP 。输出C harac teris抽动s
I
C
= F（V
权证
)
参数：T已
p
= 80微秒，T
j
= 125 °C
150
A
I
C
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
17V
15V
13V
11V
9V
7V
130
I
C
120
110
100
90
80
70
60
50
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30
20
10
0
17V
15V
13V
11V
9V
7V
1
2
3
V
5
0
1
2
3
V
5
V
权证
V
CE
牛逼YP 。反FER harac teris抽动s
I
C
= F（V
摹ê
)
参数：T已
p
= 80微秒，V
权证
= 20 V
150
A
130
I
C
120
110
100
90
80
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0
0
2
4
6
8
10
V
14
V
GE
S
IRectifier
R
SII75N12
NPT IGBT模块
典型值。栅极电荷
V
GE
=
(Q
门
)
参数：
I
PULS
= 75 A
20
V
nF
V
GE
16
14
12
10
8
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0
6
4
2
0
0
100
200
300
400
nC
550
10
-1
0
600 V
800 V
牛逼YP 。 亚太itanc ES
C = F（V
权证
)
参数： V
摹ê
= 0中，f = 1 MHz的
10
2
C
10
1
C为S
OS s
RS s
5
10
15
20
25
30
Q
门
V
V
CE
40
埃弗斯ê偏置ED s AFE操作区
I
PULS
= F（V
权证
)
,
T
j
= 150°C
参数： V
摹ê
= 15 V
2.5
S园艺 IRC UIT s AFE经营面积
I
（C S）
= F（V
权证
) , T
j
= 150°C
参数： V
摹ê
= ± 15 V ，T
S·C
≤
10微秒，L < 50 nH的
12
I
PULS
/I
C
I
SC
/I
C
8
1.5
6
1.0
4
0.5
2
0.0
0
200
400
600
800
1000 1200
V 1600
V
权证
0
0
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400
600
800 1000 1200
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V
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S
IRectifier
R
SII75N12
NPT IGBT模块
尺寸mm （高度仅1mm = 0.0394" ）
绝对最大额定值
符号
V
CES
I
C
I
CRM
V
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P
合计
T
VJ ，
(T
英镑
)
V
ISOL
R
thJC
R
thJCD
T
C
= 25
o
C,
除非另有说明
条件
值
1200
105(75)
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_
+20
625
单位
V
A
A
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o
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C
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o
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P
=1ms
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手术
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英镑
AC， 1分钟
_
40...+125(150)
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_
0.2
＆ LT ;
C
V
K / W
_
0.5
＆ LT ;
S
IRectifier
R
SII75N12
NPT IGBT模块
Electeical特点
符号
条件
静态特性
V
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=3mA
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V
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AC特性
C
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在以下条件下
C
OES
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水库
g
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V
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t
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根据以下条件：
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_
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rr
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_
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j
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C
M
s
M
t
w
到散热片M6
端子M5
3
2.5
T
C
= 25
o
C,
除非另有说明
分钟。
4.5
典型值。
5.5
1(4.5)
2.5(3.1)
5.5
0.8
0.3
31
马克斯。
6.5
1.5
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单位
V
mA
nA
V
nF
S
30
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2.3(1.8)
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3.2(12)
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140
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100
2.8
ns
V
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uC
机械数据
5
5
160
Nm
Nm
g
S
IRectifier
R
SII75N12
NPT IGBT模块
功耗
P
合计
=
(T
C
)
参数：
T
j
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150 °C
650
W
550
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合计
500
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安全工作区
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10
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T
C
t
p
S
IRectifier
R
SII75N12
NPT IGBT模块
牛逼YP 。输出C harac teris抽动s
I
C
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权证
)
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p
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C
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13V
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5
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V
CE
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I
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)
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V
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GE
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IRectifier
R
SII75N12
NPT IGBT模块
典型值。栅极电荷
V
GE
=
(Q
门
)
参数：
I
PULS
= 75 A
20
V
nF
V
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0
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nC
550
10
-1
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800 V
牛逼YP 。 亚太itanc ES
C = F（V
权证
)
参数： V
摹ê
= 0中，f = 1 MHz的
10
2
C
10
1
C为S
OS s
RS s
5
10
15
20
25
30
Q
门
V
V
CE
40
埃弗斯ê偏置ED s AFE操作区
I
PULS
= F（V
权证
)
,
T
j
= 150°C
参数： V
摹ê
= 15 V
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S园艺 IRC UIT s AFE经营面积
I
（C S）
= F（V
权证
) , T
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= 150°C
参数： V
摹ê
= ± 15 V ，T
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≤
10微秒，L < 50 nH的
12
I
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/I
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V 1600
V
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