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HM51W16165系列， HM51W18165系列
21. t
ASC
, t
CAH
, t
RCS
, t
WCS
, t
WCH
, t
企业社会责任
和T
RPC
由较早的下降沿来确定
UCAS
or
LCAS 。
22. t
CRP
, t
CHR
, t
RCH
, t
注册会计师
和T
CPW
通过后来的上升沿来确定
UCAS
or
LCAS 。
23. t
CWL
, t
DH
, t
DS
和T
CHS
应由双方都能满意
UCAS
和
LCAS 。
24. t
CP
由时间决定的，这两个
UCAS
和
LCAS
高。
25. t
HPC
（分）可以在一系列EDO页模式写周期或EDO页模式来实现
读周期。如果同时写入和读出操作被混合在一个EDO页模式
RAS
周期（ EDO
页模式混合周期（1）中，（2） ），最小的值
CAS
周期（T
CAS
+ t
CP
+ 2 t
T
）变大
除指定的T
HPC
（最小）值。的值
CAS
混合EDO页模式的循环时间是
在EDO页模式混合周期（1）和（2）所示。
26.当启用一次输出缓冲器，维持低阻抗状态，直到有效数据
获得。当输出缓冲器被打开和关闭非常短的时间内，通常它会导致
大V
CC
/V
SS
线路噪声，从而导致降低V
IH
最小/ V
IL
最高水平。
27.数据输出关断，并成为高阻抗从后面上升沿
RAS
和
CAS 。
保持时间和关闭时间是由后来的上升沿时序规范规定
RAS
和
CAS
T之间
高级代表办事处
和T
OH
之间，并且吨
OFR
和T
关闭
.
28.请不要用吨
RASS
时间， 10
s ≤
t
RASS
≤
100
s.
在此期间，该装置是在
从正常运行模式，在自刷新模式转换状态。如果T
RASS
≥
100
s,
然后
RAS
预充电时间应该用吨
RPS
而不是吨
RP
.
29.如果你使用分布式CBR刷新模式15.6
s
间隔在正常读/写周期中， CBR
刷新率应该在15.6执行
s
从进入和退出前，后，立即
进入自刷新模式。
30.如果你使用
RAS
只刷新或CBR突发刷新模式在正常的读/写周期， 4096或1024
周期（ 4096周期： HM51W16165系列， 1024个周期： HM51W18165系列）的分布
CBR刷新15.6
s
间隔应在64或16毫秒执行（ 64毫秒： HM51W16165 ，
16毫秒： HM51W18165 ）从退出后立即进入自刷新之前
模式。
无刷新所有内存31.重复自刷新模式是不允许的。一旦从你退出
自新鲜模式，所有存储单元之前需要重新进入自刷新模式时进行刷新
再次。
32. XXX： H或L （H： V
IH
（分钟）
≤
V
IN
≤
V
IH
（最大） ，L： V
IL
（分钟）
≤
V
IN
≤
V
IL
（最大值） ）
/////// ：无效的Dout
当地址，时钟输入引脚时序波形没有说明，其引脚必须
适用V
IH
或V
IL
.
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这种材料版权归其各自的制造商
