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HM51W16165系列
HM51W18165系列
16M的EDO DRAM （ 1 - Mword
×
16-bit)
4K的刷新/ 1千刷新
ADE - 203-650D （ Z）
修订版4.0
1997年11月
描述
日立HM51W16165系列， HM51W18165系列是CMOS动态RAM组织为
1,048,576-word
×
16位。它们采用的最先进的CMOS技术实现高性能和
低功耗。 HM51W16165系列， HM51W18165系列提供扩展数据输出（ EDO ）页面模式的
高速存取模式。他们有标准的400密耳42引脚塑料SOJ和400万包变
50引脚塑料TSOP 。
特点
单一3.3 V （ ± 0.3 V ）
访问时间： 50纳秒/ 60纳秒/ 70纳秒（最大）
功耗
主动模式： 396毫瓦/ 360MW / 324毫瓦（最大） （ HM51W16165系列）
： 684毫瓦/ 612毫瓦/ 540毫瓦（最大） （ HM51W18165系列）
待机模式： 7.2毫瓦（最大）
： 0.54毫瓦（最大） （L-版本）
EDO页面模式功能
刷新周期
4096刷新周期： 64毫秒（ HM51W16165系列）
： 128毫秒（L-版本）
1024刷新周期： 16毫秒（ HM51W18165系列）
： 128毫秒（L-版本）
刷新4变化
RAS-只
刷新
CAS先于RAS
刷新
隐藏刷新
自刷新（L-版本）
2CAS字节控制
电池备份操作（ L-版）
这种材料版权归其各自的制造商
