飞利浦半导体
产品speci fi cation
256位，每个字的1位的随机存取存储器
AC特性
V
DD
V
5
输出电容
10
15
C
O
符号
分钟。
典型值。
5
5
5
马克斯。
pF
pF
pF
HEF4720B
HEF4720V
交流特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
读周期
5
读取时间
片选
输出时间
10
15
5
10
15
5
地址保持时间
输出保持时间
关于
地址输入
输出保持时间
关于
片选输入
输出浮动时间
关于
片选输入
读周期时间
输出转换
时
从低到高
前高后低
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
t
THL
t
TLH
t
RC
t
COF
0
0
0
580
220
160
60
30
20
40
22
15
120
60
40
80
40
30
t
COH
t
VAL1
t
OA
0
0
0
60
20
15
170
50
40
130
70
60
t
CO
t
加
320
130
100
580
220
160
180
70
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
14纳秒
+
（ 0,52 NS / PF ）C
L
11纳秒
+
（ 0.22纳秒/ PF ）C
L
7纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
142纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
38纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
32纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
292纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
118纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
92纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
典型的外推
公式
1995年1月
4
