飞利浦半导体
产品speci fi cation
256位，每个字的1位的随机存取存储器
I
DD
范围
见下文。
功能表
CS
L
L
H
笔记
1. H =高电平状态（更多的正电压）
L =低电平状态（不积极的电压）
X =状态是无关紧要
Z =高阻关断状态
W
H
L
X
O
数据写入
到内存
数据写入
到内存
Z
O
数据补
写入到存储器
数据补
写入到存储器
Z
抑制
读
模式
写
钉扎
CS
W
D
A
0
到A
7
O
O
HEF4720B
HEF4720V
片选输入（低电平有效）
写使能输入
数据输入
地址输入
三态输出（高电平有效）
三态输出（低电平有效）
电源电压
等级
HEF4720B
HEF4720V
0,5
18
0,5
18
推荐工作
3,0到15,0
4,5到12,5
STAND -BY MIN 。
3
3
V
V
在V给出的值
DD
= 15 V在以下的DC和
AC特性，是不适用的HEF4720V ，
由于其较低的电源电压范围。
DC特性
V
SS
= 0 V
T
AMB
(°C)
V
DD
V
输出电流
低
静态器件
当前
输入漏电流
HEF4720V
HEF4720B
10
15
±I
IN
0,3
0,3
0,3
0,3
1
A
1
A
4,75
10
15
5
10
15
I
DD
V
OL
V
0,4
0,5
1,5
I
OL
符号
40
分钟。
2,4
4,8
10,0
25
50
100
+25
+85
分钟。
1,6
3,2
7,5
25
50
100
马克斯。
mA
mA
mA
200
A
400
A
800
A
马克斯。分钟。马克斯。
2
4
10
1995年1月
3
