AC输入/ PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
H11AA1-M
H11AA2-M
H11AA3-M
H11AA4-M
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
特征
测试条件
符号
设备
H11AA4-M
电流传输比，
集电极到发射极
I
F
= -10毫安，V
CE
= 10 V
CTR
CE
H11AA3-M
H11AA1-M
H11AA2-M
电流传输比，
对称
饱和电压
集电极到发射极
I
F
= -10毫安，V
CE
= 10 V （图11 ）
I
F
= -10毫安，我
CE
- 0.5毫安
V
CE （ SAT ）
所有
所有
民
100
50
20
10
.33
3.0
.40
V
%
典型*
最大
单位
隔离特性
特征
封装电容输入/输出
隔离电压
绝缘电阻
*在T典型值
A
= 25°C
测试条件
V
我-O
= 0中，f = 1 MHz的
F = 60赫兹，吨= 1秒。
V
我-O
= 500 VDC
符号
C
我-O
V
ISO
R
ISO
7500
10
11
民
典型*
0.7
最大
单位
pF
VAC （ PK）
2004仙童半导体公司
第3 9
1/9/04
