飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
保证减刑
BTA216B系列D，E和F
25
P合计/ W
TMB （最大值） / C
= 180
95
20
IT （ RMS ） / A
BT139
20
1
120
90
101
99 C
15
15
60
30
107
10
113
10
5
119
5
0
0
5
10
IT （ RMS ） / A
15
125
20
0
-50
0
50
TMB / C
100
150
图1 。最大通态损耗，P
合计
，与有效值
通态电流I
T（ RMS ）
，其中，
α
=导通角。
ITSM / A
图4 。允许的最大均方根电流I
T（ RMS ）
,
与安装基座温度T
mb
.
IT （ RMS ） / A
1000
50
40
dI
T
/ dt限制
100
30
20
IT
T
10
10us
我TSM
时间
10
TJ初始= 25℃最高
100us
1ms
T / S
10ms
100ms
0
0.01
0.1
1
浪涌持续时间/秒
10
图2 。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，与脉冲宽度t
p
为
正弦电流，T
p
≤
20ms.
ITSM / A
IT
T
100
ITSM
时间
图5 。对国家最大允许重复的有效值
电流I
T（ RMS ）
，与持续激增，为正弦
电流， F = 50赫兹;牛逼
mb
≤
99C.
VGT （ TJ ）
VGT （ 25℃ ）
150
1.6
1.4
1.2
1
TJ初始= 25℃最高
50
0.8
0.6
0
1
10
100
周期在50Hz数
1000
0.4
-50
0
50
TJ / C
100
150
如图3所示。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，对周期数，对于
正弦电流， F = 50赫兹。
图6 。归一化门极触发电压
V
GT
(T
j
)/ V
GT
（25℃ ） ，与结温度T
j
.
2000年2月
3
启1.000
