飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
保证减刑
概述
BTA216B系列D，E和F
快速参考数据
符号
参数
BTA216B-
BTA216B-
BTA216B-
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
马克斯。
600D
600E
600F
600
16
140
马克斯。
-
800E
800F
800
16
140
单位
钝化保证减刑
在一个塑料端双向可控硅开关的包络适于
表面安装时，用于在使用中
电机控制电路或与其它高度
感性负载。这些设备的平衡
换流的要求
性能和门的灵敏度。该
"sensitive gate" E系列和"logic level"
D系列旨在与接口
低功耗的驱动程序，包括微
控制器。
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
V
A
A
钉扎 - SOT404
针
1
2
3
mb
描述
主终端1
主终端2
门
主终端2
引脚配置
mb
符号
T2
2
1
3
T1
G
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
全正弦波;
T
mb
≤
99 C
全正弦波;
T
j
前= 25
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 20 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
条件
分钟。
-
-
-600
600
1
16
马克斯。
-800
800
单位
V
A
-
-
-
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
140
150
98
100
2
5
5
0.5
150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
W
W
C
C
在任何20毫秒
期
-
-
-
-
-40
-
1
虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过15 A / μs的。
2000年2月
1
启1.000
