LP3933
绝对最大额定值
2)
（注1 ，
ESD额定值（注8 ， 14 ）
人体模型：
机器型号：
2千伏
200V
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V（ SW ， FB ， WLED1-4 ， CLED1-2 ，
R1-2 ， G1-2 ， B1-2 ）引脚：
电压GND （注3,4）
V
DD1
, V
DD2
, V
DD_IO
在逻辑引脚电压
我（ R1，G1 ，B1， R2，G2， B2）的
（注5 ）
I（ V
REF
)
连续功率耗散
（注6 ）
结温（T
J- MAX
)
存储温度范围
最大的铅温度
（回流焊接， 3次）
（注7 ）
工作额定值
（注1,2 ）
V（ SW ， FB ， WLED1-4 ， CLED1-2 ，
R1-2 ， G1-2 ， B1-2 ）
V
DD1
, V
DD2
（注4 ）
V
DD_IO
推荐负载电流
结温（T
J
）范围
环境温度（T
A
）范围
（注9 ）
3.0V至6.0V
2.65至2.9V
1.8V至V
DD1,2
0 mA至300毫安
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
-0.3V至+ 7.2V
-0.3V至+ 6.0V
-0.3V到V
DD_IO
+
0.3V ， 6.0V与最大
150毫安
10 A
内部限制
125C
-65 ° C至+ 150°C
热性能
结点至环境热阻（ θ
JA
),
SLE32A套餐（注10 ）
72C/W
260C
电气特性
（注2，注11 ）
在标准字体限为T
J
= 25℃。在限额
粗体
则适用于工作环境温度范围
(40C
≤
T
A
≤
+ 85℃） 。除非另有说明，规范适用于LP3933功能框图（第5页。 ）其中： V
DD1
= V
DD2
= 2.775V ，C
VDD1
= C
VDD2
= C
VDDIO
= 0.1 μF ，C
OUT
= C
IN
= 10 μF ，C
VREF
= 0.1 μF ，L
1
= 10 μH （注12 ） 。
符号
I
DD
参数
待机电源电流
(V
DD1
和V
DD2
电流）
空载电流
(V
DD1
和V
DD2
当前，提振关闭）
满负载电源电流
(V
DD1
和V
DD2
目前，对提升）
条件
NSTBY = L（寄存器）
SCK ， SS ， SI ， NRST = H
NSTBY = H （REG ）。
EN_BOOST = L （REG ）。
SCK ， SS ， SI ， NRST = H
NSTBY = H （REG ）。
EN_BOOST = H （REG ）。
SCK ， SS ， SI ， NRST = H
所有输出活跃
NSTBY = L（寄存器）
SCK ， SS ， SI ， NRST = H
1 MHz的时钟频率
C
L
= 50 pF的在SO引脚
I（ V
REF
)
≤
1 nA的，
测试仅供参考
1.205
2
民
典型值
1
170
最大
5
300
单位
A
A
1
mA
I
DD_IO
V
DD_IO
待机电源电流
V
DD_IO
工作电源电流
1
20
1.23
5
A
A
V
REF
参考电压（注13 ）
1.255
+2
V
%
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏部件的限制。额定工作值是根据其运行情况
该装置保证的。工作额定值并不意味着保证性能的限制。为了保证性能的限制和相关的测试条件，请参阅
电气特性表。
注2 ：
所有的电压都是相对于潜在的GND引脚（ GND1-4 ， GND_BOOST ， GND_WLED ， GND_RGB ） 。
注3 ：
电池/充电器电压应大于6V不超过运行寿命的10 ％以上。
注4 ：
LP3933 6.0V以上的电压容差依赖于事实，即V
DD1
和V
DD2
（ 2.775V ）是可用的（ ON），在所有的条件。如果V
DD1
和V
DD2
不可
（ ON）在所有情况下，美国国家半导体公司不保证任何参数或可靠性此设备。
注5 ：
升压转换器的总负载电流应限制到300毫安。
注6 ：
内部热关断电路保护永久性损坏设备。热关断从事在T
J
= 160C （典型值），并脱离在T
J
=
140℃ （典型值） 。
注7 ：
有关详细的焊接规范和信息，请参考美国国家半导体应用笔记1125 ：强化CSP / FBGA 。
注8 ：
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。机器模型是一个200 pF电容放电
直接向每个引脚。 MIL - STD-883标准3015.7
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