KSC5302D
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
C
ob
t
ON
t
英镑
t
F
t
英镑
t
F
V
F
t
rr
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
输出电容
启动时间
贮存时间
下降时间
贮存时间
下降时间
二极管的正向电压
*反向恢复时间
（ di / dt的= 10A / μs）内
测试条件
I
C
= 1mA时，我
E
=0
I
C
= 5毫安，我
B
=0
I
E
= 1mA时，我
C
=0
V
CB
= 500V ，我
E
=0
V
EB
= 9V ，我
C
= 0
V
CE
= 1V ，我
C
=0.4A
V
CE
= 1V ，我
C
=1A
I
C
= 0.4A ，我
B
=0.04A
I
C
= 1A ，我
B
=0.2A
I
C
= 0.4A ，我
B
=0.04A
I
C
= 1A ，我
B
=0.2A
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
V
CC
= 300V ，我
C
=1A
I
B1
= 0.2A ，我
B2
=-0.5A,
R
L
= 300
V
CC
=15V, V
Z
=300V
I
C
= 0.8A ，我
B1
= 0.16A
I
B2
= -0.16A ，L = 200μH
I
F
= 0.4A
I
F
= 1A
I
F
= 0.2A
I
F
= 0.4A
I
F
= 1A
分钟。
800
400
12
-
-
20
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
800
1
1.4
马克斯。
-
-
-
10
10
-
-
0.4
0.5
0.9
1.0
75
150
2
0.2
2.35
150
1.2
1.5
-
-
-
V
V
V
V
pF
ns
s
s
s
ns
V
V
ns
s
s
单位
V
V
V
A
A
*脉冲测试：脉冲宽度= 5毫秒，占空比周期
≤
10%
2002仙童半导体公司
修订版B1 ， 2002年12月
