KSC5302D
KSC5302D
高压高速功率开关
应用
高击穿电压： BV
CBO
=800V
内置续流二极管，使高效抗饱和操作
适用于半桥镇流器应用
无需感兴趣的H
FE
由于低变量存储时间值
传播
即使边角的精神产品
低基极驱动要求
B
等效电路
C
1
E
TO-220
2.Collector
3.Emitter
1.Base
NPN硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
*集电极电流（脉冲）
基极电流（DC）的
*基本电流（脉冲）
功率耗散（T
C
=25°C)
结温
储存温度
价值
800
400
12
2
5
1
2
50
150
- 55 ~ 150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
热特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
R
θJC
R
θJA
热阻
特征
结到外壳
结到环境
等级
2.5
62.5
单位
° C / W
2002仙童半导体公司
修订版B1 ， 2002年12月
