K4S51323PF-M(E)F
部分阵列自刷新
移动SDRAM
1.为了节省功耗，移动SDRAM有PASR选项。
2.移动SDRAM支持3种PASR的自刷新模式：全系列全系列的1/2全阵列的1/4
BA1=0
BA0=0
BA1=0
BA0=1
BA1=0
BA0=0
BA1=0
BA0=1
BA1=0
BA0=0
BA1=0
BA0=1
BA1=1
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BA0=1
BA1=1
BA0=0
BA1=1
BA0=1
BA1=1
BA0=0
BA1=1
BA0=1
- 全阵列
- 1/2阵列
- 1/4阵列
局部自刷新区
内部温度补偿自刷新（ TCSR ）
注意：
1.为了节省功耗，移动-SDRAM包括内部温度传感器和控制单元，以控制
自刷新根据两个温度范围内自动循环;马克斯。 40
°C,
马克斯。 70
°C.
2.如果EMRS外部TCSR由控制器发出的，用于TCSR此EMRS代码将被忽略。
自刷新电流（ICC 6 ）
温度范围
全阵列
马克斯。 40
°C
马克斯。 70
°C
400
900
全阵列的1/2
320
600
全阵列的1/4
280
uA
500
单位
B.开机顺序
1.接通电源，并尝试CKE保持在一个较高的状态，所有其他投入可能是不确定的。
- 之前或同时为VDDQ应用VDD。
2.保持稳定的功率，稳定的时钟和NOP指令的输入条件为至少200us的。
3.发出预充电命令的设备的所有银行。
4.第2期以上的自动刷新命令。
5.发行模式寄存器设置命令初始化模式寄存器。
6.发出一个扩展模式寄存器设置命令正常MRS后定义DS或PASR操作型设备。
EMRS周期不是强制性的， EMRS命令需要发出只有当DS或PASR使用。
没有发出EMRS命令的默认状态是半驱动强度和全阵列刷新。
该装置现在可以通过EMRS选择的操作。
对于DS或PASR ，集DS或PASR模式EMRS制定阶段工作。
为了调整在DS或PASR模式的状态的另一模式，则需要附加EMRS集但电序列是不
在这个时候再次需要。在这种情况下，所有银行都必须处于空闲状态调整设置EMRS之前。
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2004年9月
