K4S51323PF-M(E)F
4M X 32位×4银行手机-SDRAM
特点
1.8V电源。
LVCMOS与复用地址兼容。
四家银行的操作。
MRS循环地址重点项目。
- 。 CAS延迟（1,2 & 3）。
- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）。
- 。突发类型（顺序&交错） 。
EMRS周期地址重点项目。
所有输入进行采样，该系统的正向边沿
时钟。
突发读取单个位的写操作。
特殊功能的支持。
- 。 PASR （部分阵列自刷新） 。
- 。内部TCSR （温度补偿自刷新）
- 。 DS （驱动力）
DQM用于屏蔽。
自动刷新。
64ms的刷新周期（ 8K循环） 。
商业操作温度（ -25 ° C 70 ° C） 。
2Chips DDP 90Balls FBGA （ -MXXX -Pb ， -EXXX -Pb免费） 。
移动SDRAM
概述
该K4S51323PF是536870912位同步高速数据
率动态RAM组织为4× 4196304字32位，
制造与三星的高性能CMOS技
术。同步设计允许与精确的周期控制
使用系统时钟和I / O的交易可能在每个
时钟周期。工作频率范围，可编程
脉冲串的长度和可编程延迟允许相同
装置可用于各种高带宽和高性有用
formance存储器系统的应用程序。
订购信息
产品型号
K4S51323PF-M(E)F75
K4S51323PF-M(E)F90
K4S51323PF-M(E)F1L
最大频率。
133MHz(CL=3),83MHz(CL=2)
111MHz(CL=3),83MHz(CL=2)
111MHz(CL=3)
*1
,66MHz(CL2)
LVCMOS
90 FBGA铅
（无铅）
接口
包
- M（ E） F：低功耗，商用温度（ -25 ° C 70 ° C）
注意事项：
1.对于40MHz的频率， CL1可以得到支持。
2.三星没有设计或制造用于在设备或系统中使用的是根据情况，其中人的生命是用来
潜在的威胁。请在三星电子考虑使用产品的时候联系到内存的营销团队
此处包含的任何特定目的，如医疗，航空航天，核能，军工，汽车或海底中继器的使用。
地址配置
组织
16Mx32
银行
BA0,BA1
ROW
A0 - A12
列地址
A0 - A8
1
2004年9月
