GS71116ATP/J/U
SOJ ， TSOP ， FP -BGA
商用温度
工业级温度
特点
快速存取时间： 7 ， 8 ， 10 ， 12纳秒
CMOS低功耗运行： 145/125/100/85毫安
最小周期时间
采用3.3 V单电源
所有输入和输出为TTL兼容
字节控制
全静态工作
工业温度选项：
–40°
至85℃
封装阵容
J:
400万， 44引脚封装SOJ
目标价： 400万， 44引脚TSOP II型封装
GP ：无铅400万， 3244针TSOP II型封装
U： 6毫米毫米x 8毫米细间距球栅阵列封装
GU ：无铅6毫米毫米x 8毫米细间距球栅阵列
包
提供无铅TSOP -II和FP- BGA封装
64K ×16
1MB异步SRAM
7，8， 10，12纳秒
3.3 V V
DD
中心V
DD
和V
SS
SOJ 64K ×16引脚配置
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
V
DD
V
SS
DQ
5
DQ6
DQ7
DQ
8
WE
A
15
A
14
A
13
A
12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
UB
LB
DQ
16
DQ
15
DQ
14
DQ
13
V
SS
V
DD
DQ
12
DQ
11
DQ
10
DQ
9
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
顶视图
44-pin
SOJ
描述
该GS71116A是有组织的高速CMOS静态RAM
为65536字×16位。静态设计省去了
外部时钟或定时选通。运行于单
3.3 V电源和所有输入和输出都与TTL
兼容。该GS71116A可在6毫米毫米x 8毫米
细间距的BGA封装，以及在400密耳的SOJ和400
MIL TSOP II型封装。
引脚说明
符号
A
0
–A
15
DQ
1
-DQ
16
CE
LB
UB
WE
OE
V
DD
V
SS
NC
封装J
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
低字节使能输入
（ DQ1到DQ8 ）
高字节使能输入
（ DQ9到DQ16 ）
写使能输入
输出使能输入
+3.3 V电源
地
无连接
冯： 1.07 2004年12月
1/16
2001年， GSI技术
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
