ON Semiconductort
大功率PNP硅
晶体管
。 。 。在工业，军用功率放大器，专为使用，
开关电路应用。
2N6437
2N6438 *
·安森美半导体首选设备
高集电极发射极耐受电压 -
V
CEO （ SUS ）
= 100伏直流（最小值） - 2N6437
= 120伏直流（最小值） - 2N6438
高直流电流增益 -
h
FE
= 20–80 @I
C
= 10位ADC
= 12 （分） @我
C
= 25 ADC
低集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE （ SAT ）
= 1.0伏（最大） @我
C
= 10位ADC
快速开关时间@我
C
= 10位ADC
t
r
= 0.3
s
（最大）
t
s
= 1.0
s
（最大）
t
f
= 0.25
s
（最大）
补充NPN 2N6339 2N6341直通
25安培
功率晶体管
PNP硅
100 ， 120伏
200瓦
案例1-07
TO–204AA
(TO–3)
最大额定值（ 1 ）
等级
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
符号
V
CB
V
EB
I
C
I
B
V
首席执行官
2N6437
120
100
2N6438
140
120
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
6.0
25
50
10
连续集电极电流 -
PEAK
基极电流
器件总功耗@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
P
D
200
1.14
瓦
W / ℃，
_C
T
J
,T
英镑
-65到+200
热特性
特征
符号
R
θJC
最大
单位
热阻，结到外壳
0.875
° C / W
（ 1 ）表示JEDEC注册的数据。
首选
设备是安森美半导体建议以供将来使用和最佳的整体价值选择。
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年4月 - 第2版
出版订单号：
2N6437/D
