【SavantIC半导体产品speci fi cation硅PNP功率晶体管描述·采用TO-3封装·高】,IC型号2N6438,2N6438 PDF资料,2N6438经销商,ic,电子元器件-51电子网

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

描述

·采用TO-3封装

·高直流电流增益

·快速开关时间

·低集电极饱和电压

·补充输入2N6338 2N6341

应用

·对于工业，军用功率放大器使用

和开关电路的应用

钉扎（参照图2）

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

2N6436 2N6437 2N6438

F

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

绝对最大额定值（Ta =

)

符号

参数

2N6436

V

CBO

集电极 - 基极电压

2N6437

2N6438

2N6436

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2N6437

2N6438

V

EBO

I

C

I

CM

I

BC

P

D

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25

集电极开路

开基

发射极开路

条件

价值

-100

-120

-140

-80

-100

-120

-6

-25

-50

-10

200

-65~200

V

A

W

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

0.875

单位

/W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

2N6436

V

（ SUS ） CEO

集电极 - 发射极

维持电压

2N6437

2N6438

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BE SAT- 1

V

BE SAT- 2

I

CEX

I

CBO

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

2N6436

I

首席执行官

集热器

截止电流

2N6437

2N6438

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

h

FE-3

C

OB

f

T

发射极截止电流

直流电流增益

输出电容

跃迁频率

I

C

= -10A ;我

B

=-1.0A

I

C

= -25A ;我

B

=-2.5A

I

C

= -10A ;我

B

=-1.0A

I

C

= -25A ;我

B

=-2.5A

I

C

= -50mA ;我

B

=0

2N6436 2N6437 2N6438

符号

条件

民

-80

-100

-120

典型值。

最大

单位

V

-1.0

-1.8

-2.5

-10

-1.0

-10

V

A

mA

A

V

CE

=额定V

首席执行官

; V

EB

=-1.5V

T

C

=150

V

CB

=额定V

CB

; I

E

=0

V

CE

= -40V ，我

B

=0

V

CE

= - 50V ，我

B

=0

V

CE

= -60V ，我

B

=0

V

EB

= -6V ;我

C

=0

I

C

= -0.5A ; V

CE

=-2V

I

C

= -10A ; V

CE

=-2V

I

C

= -25A ; V

CE

=-2V

I

E

=0 ; V

CB

=-10V;f=1MHz

I

C

= -1A ; V

CE

=-10V;f=10MHz

40

30

20

12

-50

A

-100

A

120

700

pF

兆赫

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2N6436 2N6437 2N6438

图2外形尺寸

3

博卡半导体公司

BSC

http://www.bocasemi.com

A

博卡半导体公司

BSC

http://www.bocasemi.com

A

博卡半导体公司

BSC

http://www.bocasemi.com

A

博卡半导体公司

BSC

http://www.bocasemi.com

A

A

A

A

ON Semiconductort

大功率PNP硅

晶体管

。。。在工业，军用功率放大器，专为使用，

开关电路应用。

2N6437

2N6438 *

·安森美半导体首选设备

高集电极发射极耐受电压 -

V

CEO （ SUS ）

= 100伏直流（最小值） - 2N6437

= 120伏直流（最小值） - 2N6438

高直流电流增益 -

h

FE

= 20–80 @I

C

= 10位ADC

= 12 （分） @我

C

= 25 ADC

低集电极 - 发射极饱和电压 -

V

CE （ SAT ）

= 1.0伏（最大） @我

C

= 10位ADC

快速开关时间@我

C

= 10位ADC

t

r

= 0.3

s

（最大）

t

s

= 1.0

s

（最大）

t

f

= 0.25

s

（最大）

补充NPN 2N6339 2N6341直通

25安培

功率晶体管

PNP硅

100 ， 120伏

200瓦

案例1-07

TO–204AA

(TO–3)

最大额定值（ 1 ）

等级

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

符号

V

CB

V

EB

I

C

I

B

V

首席执行官

2N6437

120

100

2N6438

140

120

单位

VDC

ADC

集电极 - 发射极电压

6.0

25

50

10

连续集电极电流 -

PEAK

基极电流

器件总功耗@ T

C

= 25_C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

P

D

200

1.14

瓦

W / ℃，

_C

T

J

,T

英镑

-65到+200

热特性

特征

符号

R

θJC

最大

单位

热阻，结到外壳

0.875

° C / W

（ 1 ）表示JEDEC注册的数据。

首选

设备是安森美半导体建议以供将来使用和最佳的整体价值选择。

半导体元件工业有限责任公司， 2001年

1

2001年4月 - 第2版

出版订单号：

2N6437/D

2N6437 2N6438

200

PD ，功耗（瓦）

175

150

125

100

75

50

25

0

25

50

75

100

125

150

175

200

T

C

，外壳温度（ ° C）

图1.功率降额

http://onsemi.com

2

2N6437 2N6438

0

- 11 V

10

s

t

r

, t

f

v

10纳秒

占空比= 1.0 ％

T， TIME （

s)

*电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

符号

民

最大

单位

VDC

集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）

(I

C

= 50 MADC ，我

B

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 50伏直流，我

B

= 0)

(V

CE

= 60 VDC ，我

B

= 0)

V

CEO （ SUS ）

2N6437

2N6438

2N6437

2N6438

100

120

—

I

首席执行官

μAdc

50

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 110伏，V

BE （OFF）的

= -1.5 V直流）

(V

CE

= 130伏，V

BE （OFF）的

= -1.5 V直流）

(V

CE

= 100伏，V

BE （OFF）的

= -1.5伏，T

C

= 150_C)

(V

CE

= 120伏，V

BE （OFF）的

= -1.5伏，T

C

= 150_C)

收藏家Cuto FF电流

(V

CB

= 120伏，我

E

= 0)

(V

CB

= 140伏，我

E

= 0)

I

CEX

μAdc

2N6437

2N6438

2N6437

2N6438

2N6437

2N6438

10

1.0

10

MADC

μAdc

I

CBO

发射极截止电流（V

EB

= 6.0伏，我

C

= 0)

直流电流增益（ 1 ）

(I

C

= 0.5 ADC ，V

CE

= 2.0伏）

(I

C

= 10位ADC ，V

CE

= 2.0伏）

(I

C

= 25个ADC ，V

CE

= 2.0伏）

I

EBO

h

FE

100

μAdc

—

基本特征

30

20

12

—

120

—

1.0

1.8

2.5

—

集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）

(I

C

= 10位ADC ，我

B

= 1.0 ADC）

(I

C

= 25个ADC ，我

B

= 2.5 ADC）

基射极饱和电压（ 1 ）

(I

C

= 10位ADC ，我

B

= 1.0 ADC）

(I

C

= 25个ADC ，我

B

= 2.5 ADC）

V

CE （ SAT ）

VDC

V

BE （ SAT ）

VDC

动态特性

电流增益 - 带宽积（我

C

= 1.0 ADC ，V

CE

= 10 VDC ，女

TEST

= 10兆赫）

输出电容（V

CE

= 10 VDC ，我

E

= 0中，f = 100 kHz）的

f

T

40

—

兆赫

pF

s

C

ob

t

r

t

f

700

0.3

1.0

开关特性

上升时间（V

CC

= 80伏直流，我

C

= 10 A，V

BE （OFF）的

= 6.0伏，我

B1

= 1.0 ADC）

存储（V

CC

= 80伏直流，我

C

= 10 A，V

BE （OFF）的

= 6.0伏，我

B1

= I

B2

= 1.0 ADC）

t

s

下降时间（V

CC

= 80伏直流，我

C

= 10 A，V

BE （OFF）的

= 6.0伏，我

B1

= I

B2

= 1.0 ADC）

0.25

*表示JEDEC注册的数据。

（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度

v

300

s;

占空比

v

2.0%.

V

CC

+ 80 V

R

C

8.0欧姆

+ 9.0 V

R

B

=

10欧姆

MBR74

5

- 5.0 V

范围

0.3

0.2

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

I

C

，集电极电流（ AMP ）

20

30

t

r

t

d

@ V

BE （OFF）的

= 6.0 V

V

CC

= 80 V

I

C

/I

B

= 10

T

J

= 25°C

注：有关图3和图6，R信息

B

和R

C

为

变化以获得所需的测试条件。

图2.开关时间测试电路

图3.开启时间

http://onsemi.com

3

2N6437 2N6438

R（T ）有效的瞬变

热电阻（标准化）

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.01

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

t

1

0.01

单身

脉冲

0.02 0.03 0.05

0.1

t

2

P

（ PK）

Z

θJC

（吨）= R（T ）R

θJC

R

θJC

= 0.875 ° C / W MAX

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间AT＆T

1

T

J（下PK）

- T

C

= P

（ PK）

Z

θJC

(t)

占空比D = T

1

/t

2

0.2 0.3

0.5

1.0

2.0 3.0 5.0

10

吨，时间或脉冲宽度（毫秒）

20

30

50

100

200 300

500

1000

图4.热响应

100

50

IC ，集电极电流（ AMP ）

20

10

5.0

2.0

1.0

0.5

0.2

0.1

0.05

1.0毫秒

5.0毫秒

200

s

dc

T

J

= 200°C

0.02

以下为V

首席执行官

0.01

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20

键合丝有限公司

限热

T

C

= 25°C （单脉冲）

脉冲占空比

v

10%

二次击穿LIM

资讯科技教育

曲线适用

30

2N6437

2N6438

50 70 100

200

有对的功率处理能力两方面的局限性

晶体管：平均结温及第二

击穿。安全工作区曲线表明我

C

– V

CE

晶体管必须可靠地观察到极限

操作;即，晶体管不能承受较大的

功耗比曲线表示。

图5的数据是基于T

J（下PK）

= 200_C ;牛逼

C

is

可变根据条件。其次，脉细数

限制是有效的占空比来假定T 10 ％

J（下PK）

v

200_C 。牛逼

J（下PK）

可以从在数据计算

图4.在高温情况下，热限制将

减少可处理到的值小于所述的功率

通过限制二次击穿的罚款。

V

CE

，集电极 - 发射极电压（伏）

图5.活动区的安全工作区

3.0

2.0

1.0

T， TIME （

s)

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

I

C

，集电极电流（ AMP ）

20

30

t

f

t

s

4000

3000

2000

电容（pF）

C

ob

C

ib

T

J

= 25°C

V

CC

= 80 V

I

B1

= I

B2

I

C

/I

B

= 10

T

J

= 25°C

1000

700

500

300

200

0.1

0.2

0.5

1.0 2.0

5.0

10 20

V

R

，反向电压（伏）

50

100

图6.开启，关闭时间

图7.电容

http://onsemi.com

4

2N6437 2N6438

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

200

T

J

= 150°C

的hFE ， DC电流增益

100

70

50

30

20

10

V

CE

= 2.0 V

V

CE

= 4.0 V

0.3

0.5 0.7

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

I

C

，集电极电流（ AMP ）

20

30

+ 25°C

-55°C

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

0.02 0.03

0.05 0.07 0.1

0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

I

B

，基极电流（ AMP ）

2.0

I

C

= 2.0 A

5.0 A

10 A

T

J

= 25°C

20 A

图8.直流电流增益

图9.集电极饱和区

1.8

1.6

V，电压（V ）

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

0.3

T

J

= 25°C

θ

V，温度系数（MV /

°

C)

2.0

+2.5

+2.0

+1.5

+1.0

+0.5

0

-0.5

-1.0

-1.5

-2.0

-2.5

0.3

0.5 0.7 1.0

θ

VB

对于V

BE

-55 ° C至+ 25°C

2.0 3.0

5.0 7.0

10

20 30

*θ

VC

对于V

CE （ SAT ）

-55 ° C至+ 25°C

+ 25 ° C至+ 150°C

*适用于我

C

/I

B

v

的hFE @ VCE

+

2.0 V

2

+ 25 ° C至+ 150°C

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 10

V

BE

@ V

CE

= 2.0 V

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 10

0.5 0.7

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0

10

20 30

I

C

，集电极电流（ AMP ）

I

C

，集电极电流（ AMP ）

图10. “开”电压

图11.温度系数

10

2

IC ，集电极电流（

A)

10

1

10

1

T

J

= +150°C

+100°C

IB ，基极电流（

A)

10

0

10

-1

10

-2

10

-3

10

-4

+25°C

反向

前锋

0

-0.08

-0.16

-0.24

T

J

= +150°C

+100°C

V

CE

= 40 V

10

0

10

-1

10

-2

10

-3

+0.2

反向

V

CE

= 40 V

前锋

+25°C

+0.1

0

-0.1

-0.2

-0.3

-0.4

-0.5

+0.16

+0.08

V

BE

，基极发射极电压（伏）

V

BE

，基极发射极电压（伏）

图12.集电极截止区

图13.基本截止区

http://onsemi.com

5

ON Semiconductort

大功率PNP硅

晶体管

。。。在工业，军用功率放大器，专为使用，

开关电路应用。

2N6437

2N6438 *

·安森美半导体首选设备

高集电极发射极耐受电压 -

V

CEO （ SUS ）

= 100伏直流（最小值） - 2N6437

= 120伏直流（最小值） - 2N6438

高直流电流增益 -

h

FE

= 20–80 @I

C

= 10位ADC

= 12 （分） @我

C

= 25 ADC

低集电极 - 发射极饱和电压 -

V

CE （ SAT ）

= 1.0伏（最大） @我

C

= 10位ADC

快速开关时间@我

C

= 10位ADC

t

r

= 0.3

s

（最大）

t

s

= 1.0

s

（最大）

t

f

= 0.25

s

（最大）

补充NPN 2N6339 2N6341直通

25安培

功率晶体管

PNP硅

100 ， 120伏

200瓦

案例1-07

TO–204AA

(TO–3)

最大额定值（ 1 ）

等级

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

符号

V

CB

V

EB

I

C

I

B

V

首席执行官

2N6437

120

100

2N6438

140

120

单位

VDC

ADC

集电极 - 发射极电压

6.0

25

50

10

连续集电极电流 -

PEAK

基极电流

器件总功耗@ T

C

= 25_C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

P

D

200

1.14

瓦

W / ℃，

_C

T

J

,T

英镑

-65到+200

热特性

特征

符号

R

θJC

最大

单位

热阻，结到外壳

0.875

° C / W

（ 1 ）表示JEDEC注册的数据。

首选

设备是安森美半导体建议以供将来使用和最佳的整体价值选择。

半导体元件工业有限责任公司， 2001年

1

2001年4月 - 第2版

出版订单号：

2N6437/D

2N6437 2N6438

200

PD ，功耗（瓦）

175

150

125

100

75

50

25

0

25

50

75

100

125

150

175

200

T

C

，外壳温度（ ° C）

图1.功率降额

http://onsemi.com

2

2N6437 2N6438

0

- 11 V

10

s

t

r

, t

f

v

10纳秒

占空比= 1.0 ％

T， TIME （

s)

*电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

符号

民

最大

单位

VDC

集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）

(I

C

= 50 MADC ，我

B

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 50伏直流，我

B

= 0)

(V

CE

= 60 VDC ，我

B

= 0)

V

CEO （ SUS ）

2N6437

2N6438

2N6437

2N6438

100

120

—

I

首席执行官

μAdc

50

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 110伏，V

BE （OFF）的

= -1.5 V直流）

(V

CE

= 130伏，V

BE （OFF）的

= -1.5 V直流）

(V

CE

= 100伏，V

BE （OFF）的

= -1.5伏，T

C

= 150_C)

(V

CE

= 120伏，V

BE （OFF）的

= -1.5伏，T

C

= 150_C)

收藏家Cuto FF电流

(V

CB

= 120伏，我

E

= 0)

(V

CB

= 140伏，我

E

= 0)

I

CEX

μAdc

2N6437

2N6438

2N6437

2N6438

2N6437

2N6438

10

1.0

10

MADC

μAdc

I

CBO

发射极截止电流（V

EB

= 6.0伏，我

C

= 0)

直流电流增益（ 1 ）

(I

C

= 0.5 ADC ，V

CE

= 2.0伏）

(I

C

= 10位ADC ，V

CE

= 2.0伏）

(I

C

= 25个ADC ，V

CE

= 2.0伏）

I

EBO

h

FE

100

μAdc

—

基本特征

30

20

12

—

120

—

1.0

1.8

2.5

—

集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）

(I

C

= 10位ADC ，我

B

= 1.0 ADC）

(I

C

= 25个ADC ，我

B

= 2.5 ADC）

基射极饱和电压（ 1 ）

(I

C

= 10位ADC ，我

B

= 1.0 ADC）

(I

C

= 25个ADC ，我

B

= 2.5 ADC）

V

CE （ SAT ）

VDC

V

BE （ SAT ）

VDC

动态特性

电流增益 - 带宽积（我

C

= 1.0 ADC ，V

CE

= 10 VDC ，女

TEST

= 10兆赫）

输出电容（V

CE

= 10 VDC ，我

E

= 0中，f = 100 kHz）的

f

T

40

—

兆赫

pF

s

C

ob

t

r

t

f

700

0.3

1.0

开关特性

上升时间（V

CC

= 80伏直流，我

C

= 10 A，V

BE （OFF）的

= 6.0伏，我

B1

= 1.0 ADC）

存储（V

CC

= 80伏直流，我

C

= 10 A，V

BE （OFF）的

= 6.0伏，我

B1

= I

B2

= 1.0 ADC）

t

s

下降时间（V

CC

= 80伏直流，我

C

= 10 A，V

BE （OFF）的

= 6.0伏，我

B1

= I

B2

= 1.0 ADC）

0.25

*表示JEDEC注册的数据。

（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度

v

300

s;

占空比

v

2.0%.

V

CC

+ 80 V

R

C

8.0欧姆

+ 9.0 V

R

B

=

10欧姆

MBR74

5

- 5.0 V

范围

0.3

0.2

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

I

C

，集电极电流（ AMP ）

20

30

t

r

t

d

@ V

BE （OFF）的

= 6.0 V

V

CC

= 80 V

I

C

/I

B

= 10

T

J

= 25°C

注：有关图3和图6，R信息

B

和R

C

为

变化以获得所需的测试条件。

图2.开关时间测试电路

图3.开启时间

http://onsemi.com

3

2N6437 2N6438

R（T ）有效的瞬变

热电阻（标准化）

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.01

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

t

1

0.01

单身

脉冲

0.02 0.03 0.05

0.1

t

2

P

（ PK）

Z

θJC

（吨）= R（T ）R

θJC

R

θJC

= 0.875 ° C / W MAX

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间AT＆T

1

T

J（下PK）

- T

C

= P

（ PK）

Z

θJC

(t)

占空比D = T

1

/t

2

0.2 0.3

0.5

1.0

2.0 3.0 5.0

10

吨，时间或脉冲宽度（毫秒）

20

30

50

100

200 300

500

1000

图4.热响应

100

50

IC ，集电极电流（ AMP ）

20

10

5.0

2.0

1.0

0.5

0.2

0.1

0.05

1.0毫秒

5.0毫秒

200

s

dc

T

J

= 200°C

0.02

以下为V

首席执行官

0.01

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20

键合丝有限公司

限热

T

C

= 25°C （单脉冲）

脉冲占空比

v

10%

二次击穿LIM

资讯科技教育

曲线适用

30

2N6437

2N6438

50 70 100

200

有对的功率处理能力两方面的局限性

晶体管：平均结温及第二

击穿。安全工作区曲线表明我

C

– V

CE

晶体管必须可靠地观察到极限

操作;即，晶体管不能承受较大的

功耗比曲线表示。

图5的数据是基于T

J（下PK）

= 200_C ;牛逼

C

is

可变根据条件。其次，脉细数

限制是有效的占空比来假定T 10 ％

J（下PK）

v

200_C 。牛逼

J（下PK）

可以从在数据计算

图4.在高温情况下，热限制将

减少可处理到的值小于所述的功率

通过限制二次击穿的罚款。

V

CE

，集电极 - 发射极电压（伏）

图5.活动区的安全工作区

3.0

2.0

1.0

T， TIME （

s)

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

I

C

，集电极电流（ AMP ）

20

30

t

f

t

s

4000

3000

2000

电容（pF）

C

ob

C

ib

T

J

= 25°C

V

CC

= 80 V

I

B1

= I

B2

I

C

/I

B

= 10

T

J

= 25°C

1000

700

500

300

200

0.1

0.2

0.5

1.0 2.0

5.0

10 20

V

R

，反向电压（伏）

50

100

图6.开启，关闭时间

图7.电容

http://onsemi.com

4

2N6437 2N6438

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

200

T

J

= 150°C

的hFE ， DC电流增益

100

70

50

30

20

10

V

CE

= 2.0 V

V

CE

= 4.0 V

0.3

0.5 0.7

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

I

C

，集电极电流（ AMP ）

20

30

+ 25°C

-55°C

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

0.02 0.03

0.05 0.07 0.1

0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

I

B

，基极电流（ AMP ）

2.0

I

C

= 2.0 A

5.0 A

10 A

T

J

= 25°C

20 A

图8.直流电流增益

图9.集电极饱和区

1.8

1.6

V，电压（V ）

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

0.3

T

J

= 25°C

θ

V，温度系数（MV /

°

C)

2.0

+2.5

+2.0

+1.5

+1.0

+0.5

0

-0.5

-1.0

-1.5

-2.0

-2.5

0.3

0.5 0.7 1.0

θ

VB

对于V

BE

-55 ° C至+ 25°C

2.0 3.0

5.0 7.0

10

20 30

*θ

VC

对于V

CE （ SAT ）

-55 ° C至+ 25°C

+ 25 ° C至+ 150°C

*适用于我

C

/I

B

v

的hFE @ VCE

+

2.0 V

2

+ 25 ° C至+ 150°C

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 10

V

BE

@ V

CE

= 2.0 V

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 10

0.5 0.7

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0

10

20 30

I

C

，集电极电流（ AMP ）

I

C

，集电极电流（ AMP ）

图10. “开”电压

图11.温度系数

10

2

IC ，集电极电流（

A)

10

1

10

1

T

J

= +150°C

+100°C

IB ，基极电流（

A)

10

0

10

-1

10

-2

10

-3

10

-4

+25°C

反向

前锋

0

-0.08

-0.16

-0.24

T

J

= +150°C

+100°C

V

CE

= 40 V

10

0

10

-1

10

-2

10

-3

+0.2

反向

V

CE

= 40 V

前锋

+25°C

+0.1

0

-0.1

-0.2

-0.3

-0.4

-0.5

+0.16

+0.08

V

BE

，基极发射极电压（伏）

V

BE

，基极发射极电压（伏）

图12.集电极截止区

图13.基本截止区

http://onsemi.com

5

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

描述

·带

TO- 3封装

高

直流电流增益

·快速

开关时间

ULOW

集电极饱和电压

.Complement

键入2N6338 2N6341

应用

For

在工业，军用功率放大器使用

和开关电路的应用

钉扎（参照图2）

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

2N6436 2N6437 2N6438

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

绝对最大额定值（Ta =

℃)

符号

参数

2N6436

V

CBO

集电极 - 基极电压

2N6437

2N6438

2N6436

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2N6437

2N6438

V

EBO

I

C

I

CM

I

BC

P

D

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

集电极开路

开基

发射极开路

条件

价值

-100

-120

-140

-80

-100

-120

-6

-25

-50

-10

200

-65~200

V

A

W

℃

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

0.875

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2N6436

V

（ SUS ） CEO

集电极 - 发射极

维持电压

2N6437

2N6438

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BE SAT- 1

V

BE SAT- 2

I

CEX

I

CBO

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

2N6436

I

首席执行官

集热器

截止电流

2N6437

2N6438

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

h

FE-3

C

OB

f

T

发射极截止电流

直流电流增益

输出电容

跃迁频率

I

C

= -10A ;我

B

=-1.0A

I

C

= -25A ;我

B

=-2.5A

I

C

= -10A ;我

B

=-1.0A

I

C

= -25A ;我

B

=-2.5A

I

C

= -50mA ;我

B

=0

2N6436 2N6437 2N6438

条件

民

-80

-100

-120

典型值。

最大

单位

V

-1.0

-1.8

-2.5

-10

-1.0

-10

V

μA

mA

μA

V

CE

=额定V

首席执行官

; V

EB

=-1.5V

T

C

=150℃

V

CB

=额定V

CB

; I

E

=0

V

CE

= -40V ，我

B

=0

V

CE

= - 50V ，我

B

=0

V

CE

= -60V ，我

B

=0

V

EB

= -6V ;我

C

=0

I

C

= -0.5A ; V

CE

=-2V

I

C

= -10A ; V

CE

=-2V

I

C

= -25A ; V

CE

=-2V

I

E

=0 ; V

CB

=-10V;f=1MHz

I

C

= -1A ; V

CE

=-10V;f=10MHz

40

30

20

12

-50

μA

-100

μA

120

700

pF

兆赫

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2N6436 2N6437 2N6438

图2外形尺寸

3

2N6436

2N6437

2N6438

机械数据

尺寸mm （英寸）

25.15 (0.99)

26.67 (1.05)

10.67 (0.42)

11.18 (0.44)

1.52 (0.06)

3.43 (0.135)

6.35 (0.25)

9.15 (0.36)

大功率PNP

硅晶体管

0.97 (0.060)

1.10 (0.043)

1

2

3

（案例）

3.84 (0.151)

4.09 (0.161)

7.92 (0.312)

12.70 (0.50)

描述

设计用于工业用途 - 军用

功率放大器和开关电路

应用

38.61 (1.52)

39.12 (1.54)

29.9 (1.177)

30.4 (1.197)

16.64 (0.655)

17.15 (0.675)

TO- 3封装（ TO- 204AA ）

引脚1 - 基地

PIN 2 - 发射极

案例 - 集电极

22.23

(0.875)

马克斯。

绝对最大额定值

(T

例

= 25 ° C除非另有说明）

V

CB

集电极 - 基极电压

V

首席执行官

V

EB

I

C

I

B

P

D

T

英镑，

T

j

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

PEAK

基极电流

在T器件总功耗

例

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储温度范围

2N6436

100

80

2N6437

120

100

6.0V

25A

50A

10A

140W

0.8W/°C

2N6438

140

120

-65到+ 200℃

Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信

是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。

Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

电子信箱：

sales@semelab.co.uk

网址：

http://www.semelab.co.uk

文档编号3252

问题3

2N6436

2N6437

2N6438

热数据

R

THJ情况

热阻结案件

最大

1.25

° C / W

电气特性

（温度上限= 25 ° C除非另有说明）

参数

I

CBO

I

EBO

收藏家切断电流

发射器切断电流

测试条件

V

CB

= 100V我

E

= 0

V

CB

= 120V我

E

= 0

V

CB

= 140V我

E

= 0

V

EB

= 6V

V

CE

= 90V

V

CE

= 110V

V

CE

= 130V

V

CE

= 40V我

B

= 0

I

C

= 0

2N6436

2N6437

2N6438

分钟。

典型值。

MAX 。 UNIT

10

100

10

1.0

10

1.0

10

1.0

50

A

mA

A

mA

A

mA

A

V

BE （关闭）

= -1.5V牛逼

C

= 150°C

I

CEX

收藏家切断电流

2N6437

V

BE （关闭）

= -1.5V牛逼

C

= 150°C

2N6436

V

BE （关闭）

= -1.5V牛逼

C

= 150°C

2N6436

2N6437

2N6438

2N6436

I

首席执行官

收藏家切断电流

V

CE

= 50V我

B

= 0

V

CE

= 60V我

B

= 0.

80

100

120

30

20

12

1.0

1.8

2.5

40

700

0.3

1.0

0.25

μs

兆赫

pF

V

120

—

V

（ BR ） CEO *

集电极发射极击穿电压

I

C

= 50毫安

V

CE

=2.0V

I

B

= 0

2N6437

2N6438

I

C

= 0.5A

I

C

= 10A

I

C

= 25A

I

B

= 1.0A

I

B

= 2.5A

I

B

= 1.0AV

I

B

= 2.5A

V

CE

= 10V

f

TEST

= 10MHz时

V

CE

= 10V

F = 100KHz的

I

C

= 10A

I

C

= 10A

h

FE *

直流电流增益

V

CE

= 2.0V

V

CE

= 2.0V

I

C

= 10A

I

C

= 25A

I

C

= 10A

I

C

= 25A

I

C

= 1.0A

I

E

= 0A

V

CC

= 80V

V

CC

= 80V

V

CE （SAT） *

V

BE （SAT） *

f

T

C

ob

t

r

t

s

t

f

集电极 - 发射极饱和电压

基极发射极饱和电压

电流增益 - 带宽积

输出电容

上升时间

存储

下降时间

V

BE （OFF）的

= 6.0V我

B1

= 1.0A

V

BE （OFF）的

= 6.0V我

B1

= I

B2

=1.0A

*脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2.0%

Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信

是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。

Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

电子信箱：

sales@semelab.co.uk

网址：

http://www.semelab.co.uk

文档编号3252

问题3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

描述

·带

TO- 3封装

高

直流电流增益

·快速

开关时间

ULOW

集电极饱和电压

.Complement

键入2N6338 2N6341

应用

For

在工业，军用功率放大器使用

和开关电路的应用

钉扎（参照图2）

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

2N6436 2N6437 2N6438

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

绝对最大额定值（Ta =

℃)

符号

参数

固电

IN

导½

半

2N6436

2N6437

2N6438

2N6436

2N6437

2N6438

V

CBO

集电极 - 基极电压

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

ES

昂

CH

发射极开路

ND

ICO

EM

条件

OR

UCT

价值

-100

-120

-140

-80

-100

-120

单位

V

开基

V

EBO

I

C

I

CM

I

BC

P

D

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

总功耗

结温

储存温度

集电极开路

-6

-25

-50

-10

V

A

W

℃

T

C

=25℃

200

-65~200

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

0.875

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2N6436

V

（ SUS ） CEO

集电极 - 发射极

维持电压

2N6437

2N6438

V

CEsat-1

V

CEsat-2

V

BE SAT- 1

V

BE SAT- 2

I

CEX

I

CBO

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

I

C

= -10A ;我

B

=-1.0A

I

C

= -25A ;我

B

=-2.5A

I

C

= -10A ;我

B

=-1.0A

I

C

= -25A ;我

B

=-2.5A

I

C

= -50mA ;我

B

=0

2N6436 2N6437 2N6438

条件

民

-80

-100

-120

典型值。

最大

单位

V

-1.0

-1.8

-2.5

-10

-1.0

V

μA

mA

μA

固电

IN

集电极截止电流

导½

半

2N6436

2N6437

2N6438

V

CE

=额定V

首席执行官

; V

EB

=-1.5V

T

C

=150℃

V

CB

=额定V

CB

; I

E

=0

V

CE

= -40V ，我

B

=0

V

CE

= - 50V ，我

B

=0

V

CE

= -60V ，我

B

=0

V

EB

= -6V ;我

C

=0

30

20

12

I

首席执行官

集热器

截止电流

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

h

FE-3

C

OB

f

T

发射极截止电流

直流电流增益

输出电容

跃迁频率

ES

昂

CH

ICO

EM

OR

UCT

ND

-10

-50

-100

μA

I

C

= -0.5A ; V

CE

=-2V

I

C

= -10A ; V

CE

=-2V

I

C

= -25A ; V

CE

=-2V

I

E

=0 ; V

CB

=-10V;f=1MHz

I

C

= -1A ; V

CE

=-10V;f=10MHz

120

700

40

pF

兆赫

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

2N6436 2N6437 2N6438

固电

IN

导½

半

ES

昂

CH

ND

ICO

EM

OR

UCT

图2外形尺寸

3

ON Semiconductort

大功率PNP硅

晶体管

。。。在工业，军用功率放大器，专为使用，

开关电路应用。

2N6437

2N6438 *

·安森美半导体首选设备

高集电极发射极耐受电压 -

V

CEO （ SUS ）

= 100伏直流（最小值） - 2N6437

= 120伏直流（最小值） - 2N6438

高直流电流增益 -

h

FE

= 20–80 @I

C

= 10位ADC

= 12 （分） @我

C

= 25 ADC

低集电极 - 发射极饱和电压 -

V

CE （ SAT ）

= 1.0伏（最大） @我

C

= 10位ADC

快速开关时间@我

C

= 10位ADC

t

r

= 0.3

s

（最大）

t

s

= 1.0

s

（最大）

t

f

= 0.25

s

（最大）

补充NPN 2N6339 2N6341直通

25安培

功率晶体管

PNP硅

100 ， 120伏

200瓦

案例1-07

TO–204AA

(TO–3)

最大额定值（ 1 ）

等级

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

符号

V

CB

V

EB

I

C

I

B

V

首席执行官

2N6437

120

100

2N6438

140

120

单位

VDC

ADC

集电极 - 发射极电压

6.0

25

50

10

连续集电极电流 -

PEAK

基极电流

器件总功耗@ T

C

= 25_C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

P

D

200

1.14

瓦

W / ℃，

_C

T

J

,T

英镑

-65到+200

热特性

特征

符号

R

θJC

最大

单位

热阻，结到外壳

0.875

° C / W

（ 1 ）表示JEDEC注册的数据。

首选

设备是安森美半导体建议以供将来使用和最佳的整体价值选择。

半导体元件工业有限责任公司， 2001年

1

2001年4月 - 第2版

出版订单号：

2N6437/D

2N6437 2N6438

200

PD ，功耗（瓦）

175

150

125

100

75

50

25

0

25

50

75

100

125

150

175

200

T

C

，外壳温度（ ° C）

图1.功率降额

http://onsemi.com

2

2N6437 2N6438

0

- 11 V

10

s

t

r

, t

f

v

10纳秒

占空比= 1.0 ％

T， TIME （

s)

*电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

符号

民

最大

单位

VDC

集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）

(I

C

= 50 MADC ，我

B

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 50伏直流，我

B

= 0)

(V

CE

= 60 VDC ，我

B

= 0)

V

CEO （ SUS ）

2N6437

2N6438

2N6437

2N6438

100

120

—

I

首席执行官

μAdc

50

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 110伏，V

BE （OFF）的

= -1.5 V直流）

(V

CE

= 130伏，V

BE （OFF）的

= -1.5 V直流）

(V

CE

= 100伏，V

BE （OFF）的

= -1.5伏，T

C

= 150_C)

(V

CE

= 120伏，V

BE （OFF）的

= -1.5伏，T

C

= 150_C)

收藏家Cuto FF电流

(V

CB

= 120伏，我

E

= 0)

(V

CB

= 140伏，我

E

= 0)

I

CEX

μAdc

2N6437

2N6438

2N6437

2N6438

2N6437

2N6438

10

1.0

10

MADC

μAdc

I

CBO

发射极截止电流（V

EB

= 6.0伏，我

C

= 0)

直流电流增益（ 1 ）

(I

C

= 0.5 ADC ，V

CE

= 2.0伏）

(I

C

= 10位ADC ，V

CE

= 2.0伏）

(I

C

= 25个ADC ，V

CE

= 2.0伏）

I

EBO

h

FE

100

μAdc

—

基本特征

30

20

12

—

120

—

1.0

1.8

2.5

—

集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）

(I

C

= 10位ADC ，我

B

= 1.0 ADC）

(I

C

= 25个ADC ，我

B

= 2.5 ADC）

基射极饱和电压（ 1 ）

(I

C

= 10位ADC ，我

B

= 1.0 ADC）

(I

C

= 25个ADC ，我

B

= 2.5 ADC）

V

CE （ SAT ）

VDC

V

BE （ SAT ）

VDC

动态特性

电流增益 - 带宽积（我

C

= 1.0 ADC ，V

CE

= 10 VDC ，女

TEST

= 10兆赫）

输出电容（V

CE

= 10 VDC ，我

E

= 0中，f = 100 kHz）的

f

T

40

—

兆赫

pF

s

C

ob

t

r

t

f

700

0.3

1.0

开关特性

上升时间（V

CC

= 80伏直流，我

C

= 10 A，V

BE （OFF）的

= 6.0伏，我

B1

= 1.0 ADC）

存储（V

CC

= 80伏直流，我

C

= 10 A，V

BE （OFF）的

= 6.0伏，我

B1

= I

B2

= 1.0 ADC）

t

s

下降时间（V

CC

= 80伏直流，我

C

= 10 A，V

BE （OFF）的

= 6.0伏，我

B1

= I

B2

= 1.0 ADC）

0.25

*表示JEDEC注册的数据。

（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度

v

300

s;

占空比

v

2.0%.

V

CC

+ 80 V

R

C

8.0欧姆

+ 9.0 V

R

B

=

10欧姆

MBR74

5

- 5.0 V

范围

0.3

0.2

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

I

C

，集电极电流（ AMP ）

20

30

t

r

t

d

@ V

BE （OFF）的

= 6.0 V

V

CC

= 80 V

I

C

/I

B

= 10

T

J

= 25°C

注：有关图3和图6，R信息

B

和R

C

为

变化以获得所需的测试条件。

图2.开关时间测试电路

图3.开启时间

http://onsemi.com

3

2N6437 2N6438

R（T ）有效的瞬变

热电阻（标准化）

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.01

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

t

1

0.01

单身

脉冲

0.02 0.03 0.05

0.1

t

2

P

（ PK）

Z

θJC

（吨）= R（T ）R

θJC

R

θJC

= 0.875 ° C / W MAX

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间AT＆T

1

T

J（下PK）

- T

C

= P

（ PK）

Z

θJC

(t)

占空比D = T

1

/t

2

0.2 0.3

0.5

1.0

2.0 3.0 5.0

10

吨，时间或脉冲宽度（毫秒）

20

30

50

100

200 300

500

1000

图4.热响应

100

50

IC ，集电极电流（ AMP ）

20

10

5.0

2.0

1.0

0.5

0.2

0.1

0.05

1.0毫秒

5.0毫秒

200

s

dc

T

J

= 200°C

0.02

以下为V

首席执行官

0.01

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20

键合丝有限公司

限热

T

C

= 25°C （单脉冲）

脉冲占空比

v

10%

二次击穿LIM

资讯科技教育

曲线适用

30

2N6437

2N6438

50 70 100

200

有对的功率处理能力两方面的局限性

晶体管：平均结温及第二

击穿。安全工作区曲线表明我

C

– V

CE

晶体管必须可靠地观察到极限

操作;即，晶体管不能承受较大的

功耗比曲线表示。

图5的数据是基于T

J（下PK）

= 200_C ;牛逼

C

is

可变根据条件。其次，脉细数

限制是有效的占空比来假定T 10 ％

J（下PK）

v

200_C 。牛逼

J（下PK）

可以从在数据计算

图4.在高温情况下，热限制将

减少可处理到的值小于所述的功率

通过限制二次击穿的罚款。

V

CE

，集电极 - 发射极电压（伏）

图5.活动区的安全工作区

3.0

2.0

1.0

T， TIME （

s)

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

I

C

，集电极电流（ AMP ）

20

30

t

f

t

s

4000

3000

2000

电容（pF）

C

ob

C

ib

T

J

= 25°C

V

CC

= 80 V

I

B1

= I

B2

I

C

/I

B

= 10

T

J

= 25°C

1000

700

500

300

200

0.1

0.2

0.5

1.0 2.0

5.0

10 20

V

R

，反向电压（伏）

50

100

图6.开启，关闭时间

图7.电容

http://onsemi.com

4

2N6437 2N6438

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

200

T

J

= 150°C

的hFE ， DC电流增益

100

70

50

30

20

10

V

CE

= 2.0 V

V

CE

= 4.0 V

0.3

0.5 0.7

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

I

C

，集电极电流（ AMP ）

20

30

+ 25°C

-55°C

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

0.02 0.03

0.05 0.07 0.1

0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

I

B

，基极电流（ AMP ）

2.0

I

C

= 2.0 A

5.0 A

10 A

T

J

= 25°C

20 A

图8.直流电流增益

图9.集电极饱和区

1.8

1.6

V，电压（V ）

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

0.3

T

J

= 25°C

θ

V，温度系数（MV /

°

C)

2.0

+2.5

+2.0

+1.5

+1.0

+0.5

0

-0.5

-1.0

-1.5

-2.0

-2.5

0.3

0.5 0.7 1.0

θ

VB

对于V

BE

-55 ° C至+ 25°C

2.0 3.0

5.0 7.0

10

20 30

*θ

VC

对于V

CE （ SAT ）

-55 ° C至+ 25°C

+ 25 ° C至+ 150°C

*适用于我

C

/I

B

v

的hFE @ VCE

+

2.0 V

2

+ 25 ° C至+ 150°C

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 10

V

BE

@ V

CE

= 2.0 V

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 10

0.5 0.7

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0

10

20 30

I

C

，集电极电流（ AMP ）

I

C

，集电极电流（ AMP ）

图10. “开”电压

图11.温度系数

10

2

IC ，集电极电流（

A)

10

1

10

1

T

J

= +150°C

+100°C

IB ，基极电流（

A)

10

0

10

-1

10

-2

10

-3

10

-4

+25°C

反向

前锋

0

-0.08

-0.16

-0.24

T

J

= +150°C

+100°C

V

CE

= 40 V

10

0

10

-1

10

-2

10

-3

+0.2

反向

V

CE

= 40 V

前锋

+25°C

+0.1

0

-0.1

-0.2

-0.3

-0.4

-0.5

+0.16

+0.08

V

BE

，基极发射极电压（伏）

V

BE

，基极发射极电压（伏）

图12.集电极截止区

图13.基本截止区

http://onsemi.com

5