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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
2SB812
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
( BR ) CEO
= -60V (最小值)
功耗
.Complement
到类型2SD1032
应用
·设计
自动对焦功率放大器应用
绝对最大额定值(T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
-60
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
-60
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
-5
V
I
C
集电极电流连续
-4
A
I
CM
集电极电流峰值
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
-8
A
P
C
60
W
T
J
150
T
英镑
存储温度范围
-55~150
ISC的网站: www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
( BR ) CEO
V
CE
(SAT)
V
BE
(上)
I
首席执行官
I
CES
h
FE-1
h
FE-2
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基地发射极电压上
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= -30mA ;我
B
= 0
I
C
= -4A ;我
B
= -0.4A
B
2SB812
-60
典型值。
最大
单位
V
-1.5
-2.0
-700
-400
40
15
250
V
V
μA
μA
I
C
= -3A ; V
CE
= -4V
V
CE
= -30V ;我
B
= 0
B
V
CE
= -60V; V
BE
= 0
I
C
= -1A ; V
CE
= -4V
I
C
= -3A ; V
CE
= -4V
开关时间
t
on
t
关闭
开启时间
I
C
= -4A ,我
B1
= -I
B2
= -0.4A
打开-O FF时间
1.4
μs
0.2
μs
h
FE-1
分类
R
40-90
Q
70-150
P
120-250
ISC的网站: www.iscsemi.cn
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB812
描述
·采用TO- 3PN封装
·安全运行的广域
·低集电极饱和电压
应用
·对于音频输出的应用
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 3PN )和符号
描述
绝对最大额定值( TC = 25 )
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-60
-60
-6
-4
60
150
-40~150
单位
V
V
V
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= -10mA ;我
B
=0
I
C
= -1mA ,我
E
=0
I
E
= -1mA ,我
C
=0
I
C
= -3A ,我
B
=-0.3A
I
C
=-1A;V
CE
=-5V
V
CB
= -60V我
E
=0
V
EB
= -6V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-4V
40
-60
-60
-6
2SB812
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE
典型值。
最大
单位
V
V
V
-1.5
-1.5
-0.1
-0.1
250
V
V
mA
mA
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB812
图2外形尺寸
3
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    -
    -
    -
    -
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2SB812
MAT
2024
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MAT
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√ 欧美㊣品
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