K5L5628JT(B)M
低功耗特性
内部TCSR
内部温度补偿自刷新（ TCSR ）
特点是减少室内待机电流非常有用的工具
温度（ 40℃以下） 。 DRAM单元具有弱刷新字符
开创性意义在较高的温度。这么高的温度要求
更多的更新周期，从而导致待机电流增加。
没有内部TCSR ，刷新周期应设置为最差
条件，以便覆盖高温（85℃ ）刷新煤焦
Cucumis Sativus查阅全文。但与内部TCSR ，下面的刷新周期
40℃下可被优化，以便在室temper-待机电流
ATURE可以高度降低。此功能是真正有益
手机，因为大部分的手机都在使用
低于40℃ ，在电话处于待机模式。
图13 PAR模式的执行和退出
0.5s
太太
≈
初步
初步
MCP内存
驱动力最优化
的输出驱动强度的优化是可能的，通过
该方式寄存器设置调整为不同的数据负载
英格斯。通过这个驱动力的优化，该设备可以
最小化在数据总线上产生的噪声中读操作
通报BULLETIN 。该设备支持完整的驱动器，驱动器的1/2和1/4的车程。
部分阵列刷新（ PAR ）模式
在PAR模式使用户能够指定活动内存
数组的大小。 UtRAM由4块，用户可以选择
1块， 2块， 3块或块全部为活性存储阵列
通过模式寄存器设置。有源存储器阵列是
定期刷新，而禁用的阵列不会
被刷新，因此先前存储的数据会丢失。
即使PAR模式通过模式寄存器的使能
设置，仍然需要PAR模式执行刘健引脚。
可以正常运行，即使在刷新残疾执行
数组只要刘健不会驱动引脚为低电平超过0.5μs的。
驾驶黄脚高，使设备得到回
从执行的PAR模式正常操作模式时，
参阅图13和表12的PAR操作和PAR
地址映射。
正常
手术
模式
暂停
PAR模式
≈
正常
手术
CS
表12. PAR况特点
电源模式
待机（全阵列）
局部刷新（ 3/4块）
局部刷新（1/2块）
局部刷新（1/4块）
地址
（底部阵列）
2)
000000 - 7FFFFFH
000000 - 5FFFFFh
000000 3FFFFFh
000000 1FFFFFH
地址
（顶排）
2)
000000 - 7FFFFFH
200000h - 7FFFFFH
为400000h - 7FFFFFH
600000h - 7FFFFFH
内存
待机
3)
待机
3)
小区数据（我
SB1
， <40 ° C） （I
SB1
， <85 ° C）
有效
1)
有效
1)
有效
1)
有效
1)
130A
125A
120A
115A
250A
235A
220A
205A
等待
时间（μs ）
0
0
0
0
1.只有在刷新块中的数据是有效的
2. PAR阵列可以通过模式寄存器设置进行选择（参见第66页）
3.待机模式应该是设置后的至少一种活性operation.after电。
I
SB1
为60ms时，从待机模式设置的时间后测量。
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修订版1.0
2004年11月
