K5L5628JT(B)M
表16.电容
1)
（ F = 1MHz的，T
A
=25°C)
项
输入电容
输入/输出电容
1.电容进行采样，而不是100 ％测试。
初步
初步
MCP内存
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
表17. DC及经营特色
项
输入漏电流
输出漏电流
平均开工
电流（异步）
平均开工
电流（同步）
输出低电压
输出高电压
待机电流（ CMOS ）
符号
测试条件
V
IN
= VSS到V
CCQ
CS = V
IH ，
MRS = V
IH
， OE = V
IH
或WE = V
IL
, V
IO
= VSS到V
CCQ
循环Time≥t
RC
+3t
PC
, I
IO
= 0毫安， 100 ％的关税， CS = V
IL
， MRS = V
IH ，
V
IN
=V
IL
或V
IH
突发长度4 ，延迟3 ， 52.9MHz ，我
IO
= 0毫安，地址跃迁
化1次， CS = V
IL
， MRS = V
IH ，
V
IN
=V
IL
或V
IH
I
OL
=0.1mA
I
OH
=-0.1mA
CS = V
CCQ
-0.2V ， MRS≥V
CCQ
-0.2V ，其他
输入= VSS到V
CCQ
< 40℃
＆ LT ; 85°C
3/4块
< 40℃
1/2块
1/4块
3/4块
＆ LT ; 85°C
1/2块
1/4块
民
-1
-1
-
-
-
1.4
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
1
1
40
40
0.2
-
130
250
125
120
115
235
220
205
单位
A
A
mA
mA
V
V
A
A
A
I
LI
I
LO
I
CC2
I
CC3
V
OL
V
OH
I
SB1
2)
局部刷新当前
I
SBP
1)
MRS≤0.2V ， CS≥V
CCQ
-0.2V
其他输入= VSS到V
CCQ
A
1.全阵列局部刷新电流（
I
SBP
）是一样的待机电流（
I
SB1
).
2.待机模式应该是设置后的至少一种活性operation.after电。
I
SB1
为60ms时，从待机模式设置的时间后测量。
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修订版1.0
2004年11月
