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IR3637ASPbF
6 ）在ESR零点将第二个极点。
F
P2
= F
ESR
1
R
8
=
2π
×
C
10
×
F
P2
检查若R
8
＆ GT ;
1
g
m
布局的思考
设计高频时的布局是非常重要的
昆西开关转换器。布局会影响噪音
皮卡，并可能导致一个好的设计与执行
比预期少的结果。
开始将电源组件，使所有CON组
接口，以在顶层与宽，铜填充区域。
电感，输出电容和MOSFET应
是彼此接近越好。这有助于减少
将EMI由于高辐射的功率轨迹
通过这些开关电流。将输入电容
直接向高侧MOSFET的漏极，以减少
血沉取代单一的输入电容有两个标准杆
等位基因单位。该系统的反馈部分应
远离电感器和其它噪声源，
并放在靠近IC 。在多层PCB的使用
一层作为电源接地平面，并且有一个控制税务局局长
扣器地（模拟地） ，这是所有信号REF-
所引用， 。我们的目标是定位高电流通路，以
一个单独的环路不与多干涉
敏感的模拟控制功能。这两个理由
必须连接在一起的印刷电路板布局在一
单点。
若R
8
太小，加大研发投入
7
而从第2步开始。
7 ）将第二零左右的谐振频率。
F
Z2
= F
LC
1
R
6
=
- R
8
2π
×
C
10
×
F
Z2
8 ）使用公式（1）计算R
5
.
V
REF
R
5
=
×
R
6
V
OUT
- V
REF
这些设计规则会给出一个分频点AP-
近因十分之一的开关频率无关。该
更高的带宽，更快的潜在负载转录
过性的速度。增益裕度足够大，以
提供高直流稳压精度（一般-5dB到 -
12分贝） 。相位裕度应大于45，用于
整体稳定性。
基于零的用ESR所产生的频率
与交叉频率，补偿型可
是不同的。下表显示了补偿
类型和分频点的位置。
补偿器
零点的位置
典型
TYPE
分频点
产量
(F
O
)
电容
II型（PI）的
F
LC
＆ LT ; F
ESR
＆ LT ; F
O
＆ LT ; F
S
/ 2电解，
钽
III型（PID）的
F
LC
＆ LT ; F
O
＆ LT ; F
ESR
＆ LT ; F
S
/2
钽，
A法
陶瓷的
III型（PID）的
F
LC
＆ LT ; F
O
＆ LT ; F
S
/ 2 < F
ESR
陶瓷的
方法B
表 - 零补偿类型和位置
分频点。
详细信息dicussed应用笔记AN-
1043可从IR Web的站点下载。
所有的设计应稳定，以验证校准 - 进行测试
culated值。
www.irf.com
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