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A读阵列命令现在可以写入
CUI从块比其它读取的数据的哪
被暂停。而只有其他有效的命令
节目暂停，正在读状态寄存器，
阅读标识，并计划继续。后
程序恢复命令被写入到闪存
记忆中， WSM将继续与程序
过程和状态寄存器位SR.2和SR.7会
自动清零。该程序后
恢复命令写入，设备
自动输出状态寄存器的数据时，
阅读（见附录F
节目暂停和
恢复流程图） 。
V
PP
必须保持在相同的
V
PP
级别用于程序，而在程序
挂起模式。 RP ＃还必须保持在V
IH 。
3.2.5
擦除模式
E
智能3高级启动块
擦除操作后，清除状态寄存器
（ 50H ）尝试下一个操作之前。任何
崔指令可以按照擦除后是
完成;然而，为了防止意外的状态
寄存器读，最好是放置在闪光
读阵列模式后擦除完毕。
3.2.5.1
暂停和恢复擦除
要擦除的块，写擦除设置和擦除
确认一个命令给崔，沿
地址识别该块被擦除。这
地址是内部锁存时擦除
确认命令发出。块擦除结果
在块内的所有的位被设定为“1 ” ，只有一个
块可以同时被擦除。在WSM会
执行序列的内部定时事件
程序块中的所有位为“ 0”时，清除所有的位
块中为“ 1 ”，然后确认中的所有位
该块被充分擦除。而擦除
执行时，状态位7是“0”。
当状态寄存器指示擦除是
完成后，检查擦除状态位，以验证
擦除操作是成功的。如果擦除
手术很成功，地位SR.5
寄存器将被设置为“1 ”，表示一个擦除
失败。如果V
PP
不经过可接受的限度内
擦除确认命令发出后， WSM
将不执行擦除序列;相反， SR.5
的状态寄存器被设置为指示的擦除
错误，并SR.3被设置为“1” ，以确定使V
PP
电源电压是不能接受的限度内。
由于擦除操作需要的顺序
秒内完成，擦除挂起命令
被设置为允许擦除序列中断
为了读取数据或程序数据到另一个
方框中的存储器。一旦擦除序列
开始，书写擦除挂起命令的
该WSM暂停擦除崔请求
序列中的预定点的擦除
算法。状态寄存器将指示是否/何时
擦除操作已被暂停。
现在A读阵列/程序命令即可
写入到崔以读取/数据
节目数据块比所述一个目前其它
暂停。
该
节目
命令
可以
随后暂停阅读的又一
排列位置。而唯一有效的命令
擦除暂停被删除恢复，计划，
读阵列，读状态寄存器，或读
标识符。在擦除暂停模式下，该芯片可以
可以通过取CE＃放置在伪待机模式
到V
IH
。这减少了有源电流消耗。
删除恢复继续擦除序列时，
CE＃ = V
IL
。与标准擦除的端
操作时，状态寄存器必须被读出，并
清除下一个指令被发出之前。
初步
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