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智能3高级启动块
有迹象表明，修改数组数据两个命令：
程序（ 40H ）和删除（ 20H ） 。写作任
这些命令的内部命令用户
界面（CUI ）启动内部可序列
定时功能达到高潮完成
所请求的任务（除非该操作被中止
由任RP ＃被驱动到V
IL
对于T
PLRH
或
适当的暂停命令） 。
3.2.1
读阵列
E
当从V RP ＃转换
IL
（重置）至V
IH
中，
设备默认值读取阵列模式，并会作出回应
给读控制输入端（ CE＃ ，地址输入端，和
OE ＃ ）没有任何额外的CUI命令。
当该装置处于读阵列模式中，四个控制
信号控制数据输出：
WE＃必须为逻辑高电平（V
IH
)
CE ＃必须为逻辑低电平（V
IL
)
OE ＃为逻辑低电平（V
IL
)
RP ＃必须是逻辑高电平（V
IH
)
3.2
操作模式
闪速存储器具有四个读模式和两种
写模式。读模式读取阵列，读取
识别，读取状态和读取查询（见附录
C） 。写模式程序和块擦除。
另外三个模式（擦除挂起编程，
擦除挂起读取和程序挂起到
读）只适用期间暂停
操作。这些模式中所使用的达到
COMMANDS
总结
in
表4 。
A
综合图表显示的状态转换
见附录A.
此外，所期望的存储单元的地址要
施加给地址引线。如果该设备是不
在读出的阵列模式，如将后一的情况下
编程或擦除操作，读阵列
命令（ FFH ）必须被写入到崔前
阵列中读取才能进行。
表4.命令代码和说明
CODE
00,
01,
60,
2F,
C0,
98
FF
40
DEVICE模式
无效的/
版权所有
描述
未分配的指令不应该被使用。英特尔保留的权利
重新定义这些代码为未来的功能。
读阵列
节目
建立
将器件置于读阵列模式，使得阵列数据将在输出
数据引脚。
这是一个双循环指令。第一个周期准备CUI的程序
操作。第二周期锁存地址和数据信息，并
启动执行程序算法的WSM 。闪光输出状态
注册数据时， CE ＃或OE ＃翻转。 A读阵列命令是必需的
编程后读阵列数据。参见3.2.4节。
10
20
备用
（见40H /程序设置）
计划建立
抹去
建立
准备在崔的擦除确认命令。如果下一个指令是不
擦除确认命令，那么崔会（一）设置的两个SR.4和SR.5
状态寄存器为“1 ”， （b）该装置放置到读状态寄存器模式，
（三）等待下一个命令。参见第3.2.5节。
14
初步
