IXGN 50N60BD2
IXGN 50N60BD3
100
T
J
= 25°C
V
GE
= 15V
13V
11V
9V
7V
200
160
T
J
= 25°C
80
V
GE
= 15V
13V
11V
9V
I
C
- 安培
60
40
20
5V
I
C
- 安培
120
7V
80
40
5V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
2
4
6
8
10
V
CE
- 伏特
V
CE
- 伏特
图。 1.饱和电压特性
100
1.6
T
J
= 125°C V = 15V
GE
13V
11V
9V
图。 2.扩展的输出特性
V
GE
= 15V
V
CE （SAT）
- 归
80
1.4
1.2
1.0
I
C
= 25A
I
C
= 50A
I
C
= 100A
I
C
- 安培
60
40
7V
0.8
0.6
0.4
25
5V
20
0
0
1
2
3
4
5
50
75
100
125
150
V
CE
- 伏特
T
J
- 摄氏度
图。 3.饱和电压特性
100
V
CE
= 10V
图。 V 4.温度依赖性
CE （ SAT ）
10000
F = 1MHz的
C
国际空间站
80
电容 - pF的
I
C
- 安培
1000
60
40
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
100
C
OSS
C
RSS
20
0
0
2
4
6
8
10
V
GE
- 伏特
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
CE
-Volts
图。 5.饱和电压特性
图。 6.结电容曲线
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