IXGN 50N60BD2
IXGN 50N60BD3
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
35
50
4100
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
290
50
110
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
感性负载，T
J
= 25°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 100
mH的，
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 2.7
W
备注：开关时间可能会增加
对于V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
，更高的温度
J
or
加强研究
G
感性负载，T
J
= 125°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 100
mH
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 2.7
W
备注：开关时间可能会增加
对于V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
，更高的温度
J
or
加强研究
G
30
35
50
50
110
150
3.0
50
60
3.0
200
250
4.2
250
220
4.0
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.50 K / W
0.05
K / W
供应M4螺丝（4次）
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
毫米
分钟。
马克斯。
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
英寸
分钟。
马克斯。
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
miniBLOC ， SOT- 227 B
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
25.07 0.968
0.1 -0.002
反向二极管（ FRED ）
符号
I
R
V
F
I
RM
t
rr
R
thJC
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
典型值。
马克斯。
650
2.5
1.75
2.40
8.0
T
J
= 25°C
35
uA
mA
V
V
A
ns
0.85 K / W
T
VJ
= 25°C V
R
= V
RRM
T
VJ
= 150°C
I
F
= 60 A，T
VJ
= 150°C
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
I
F
= I
C90
, V
GE
= 0 V ， - 二
F
/ DT = 100 A / MS
V
R
= 540 V
I
F
= 1 A， -di / DT = 50 A / MS ，V
R
= 30 V
T
VJ
= 25°C
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-5
