CDCE706
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SCAS815A - 2005年10月 - 修订2005年10月
晶体振荡器输入
输入频率范围在晶振模式下为8 MHz到54 MHz的。该CDCE706采用了皮尔斯型振荡
电路与信号反相放大器包含的反馈电阻。用户，然而，有添加外部
电容器 -
X0
, C
X1
）来匹配来自晶体的输入负载电容（见
图9）。
所要求的值可以是
计算：
C
X0
= C
X1
= 2
×
C
L
– C
ICB
,
其中C
L
为指定的晶体单元和C的晶体负载电容
ICB
是的输入电容
设备包括电路板电容（PCB的杂散电容） 。
例如，对于一个基本的27 -MHz的晶体用C
L
9 pF电容和C
ICB
4 PF的，
C
X0
= C
X1
= (2
×
9 pF的） - 4 PF = 14 pF的。
使用短的PCB迹线从所述设备到所述晶体单元保持的寄生电容是很重要的
振荡器循环到最小。
输入信号源选择
（从EEPROM）
XO
or
2LVCMOS
or
迪FF erential
输入
CLK_IN0
C
ICB
C
X0
水晶
单位
CLK_IN1
C
X1
图9.晶振输入电路
为了确保稳定的振荡，在一定的驱动功率必须应用。该CDCE706具有输入
振荡器的自适应增益控制，免除了用户手动进行增益编程。的驱动电平是
的功率量由振荡晶体单元消散，通常在电力方面通过消散指定
谐振器（等效串联电阻（ESR ））。
图10
使所产生的驱动电平VS晶体频率
和ESR 。
100
90
80
70
C = 18 pF的
U
pk
- 300毫伏
ERS
ERS
ERS
ERS
ERS
ERS
=
=
=
=
=
=
60
50
40
30
25
15
W
W
W
W
W
W
P
DRIVE
- 毫瓦
60
50
40
30
21毫瓦
20
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
频率 - 兆赫
图10.晶体驱动电源
19
产品预览
C
ICB
