BUZ 11 AL
不适用于新设计
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
=
(T
j
)
参数：
I
D
= 13 A,
V
GS
= 5 V
0.26
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
=
(T
j
)
参数：
V
GS
=
V
DS
,
I
D
= 1毫安
4.6
V
4.0
0.22
R
DS （ ON）
0.20
0.18
0.16
0.14
0.12
V
GS （ TH）
3.6
3.2
2.8
2.4
98%
2.0
0.10
0.08
典型值
98%
典型值
1.6
2%
1.2
0.8
0.4
0.0
-20
20
60
100
°C
160
-60
-20
20
60
100
°C
160
0.06
0.04
0.02
0.00
-60
T
j
T
j
典型值。电容
C
=
f
(V
DS
)
参数： V
GS
= 0V,
f
= 1MHz的
10
1
反向二极管的正向特性
I
F
=
(V
SD
)
参数：
T
j
, t
p
= 80 s
10
3
nF
C
A
I
F
C
国际空间站
10
0
10
2
C
OSS
C
RSS
10
-1
10
1
T
j
= 25°C （典型值）
T
j
= 150℃ （典型值）
T
j
= 25 °C (98%)
T
j
= 150 °C (98%)
10
-2
0
10
0
0.0
5
10
15
20
25
30
V
V
DS
40
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
V
3.0
V
SD
半导体集团
7
07/96
