BUZ 11 AL
不适用于新设计
典型值。输出特性
I
D
=
(
V
DS
)
参数：
t
p
= 80 s
l
典型值。漏极 - 源极导通电阻
R
DS （ ON）
=
(
I
D
)
参数：
V
GS
0.17
60
A
50
P
合计
= 75W
k
吉H·G
f
VGS
[V]
a
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
8.0
10.0
b
0.14
R
DS （ ON）
0.12
0.10
a
b
c
I
D
45
e
c
d
e
f
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
a
b
c
d
g
h
i
j
k
l
0.08
0.06
d
0.04
h
e
f
g
i
0.02
0.00
V
5.5
0
V
GS
[V] =
a
3.0
2.5
3.5
b
4.0
c
4.5
d
5.0
e
f
5.5 6.0
g
6.5
h
i
j
j
7.0 8.0 10.0
5
10
15
20
25
30
35
40
A
50
V
DS
I
D
典型值。传输特性
I
D
=
f
(V
GS
)
典型值。正向跨导
g
fs
=
f
(I
D
)
参数：
t
p
= 80 s
V
DS
≥2
x
I
D
x
R
DS （ ON）最大值
65
A
55
参数：
t
p
= 80 s,
V
DS
≥2
x
I
D
个R
DS （ ON）最大值
32
S
I
D
50
45
40
35
g
fs
24
20
16
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
V
GS
10
0
0
10
20
30
40
A
I
D
60
8
12
4
半导体集团
6
07/96
